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成功者的继任,Ivy Bridge架构Core i7-3770K全面解析与测试
继Intel推出Sandy Bridge并获得巨大成功后,转眼间已经过去一年又3个月,上次Sandy Bridge发布的时候,Intel对架构进行了大幅度改动,这次Ivy Bridge的动作就相对小很多,它继承Sandy Bridge架构,进步到22nm制程 ...
3D晶体管解密
Ivy Bridge还有一个亮点就是3D晶体管。网友Asuka的帖子Asuka小讲座之三:CMOS性能与制程中已经为我们以通俗的方式介绍了3D晶体管到底是什么东西。Intel为了缓解由于制程减小而产生的越来越严重的漏电问题(short-channel effect,短沟道效应)而在晶体管中增加的一道“鳍片”(Fin),这种技术叫做FinFET,Intel给了个通俗的包装词汇叫做3D晶体管,或者叫Tri-GATE。 晶体管中源极(Source)和漏极(Drain)之间存在着绝缘层,以确保在晶体管关闭的时候两极间“几乎”没有电流流过。但是随着制造工艺越来越先进,单个晶体管的尺寸就变得越来越小,原本在Source和Drain两级间的绝缘层也越来越小,“电阻”也会越来越小,原本“几乎”没有电流流过的绝缘层的绝缘效果下降,漏电就越来越严重。漏电通常发生在远离Gate(栅极)的一侧,当漏电达到一定程度的时候,就相当于晶体管一直处于开启状态,这些漏电的电流是会全部转换成发热量的,因此漏电变大也就直接导致了CPU发热量的上升。 FinFET就是减少漏电电流的一种方式——加大Gate的控制范围,也就是把原本平面的Source和Drain加高——这样在第三个维度上就能看到它们的身影,与Gate交叉,这样相当于Gate可以从三个方向夹着Source和Drain,从三个方向控制着晶体管。 因此在Intel的宣传图片中,我们看到的3D晶体管是网状的,而传统的晶体管则是条状的。 因此,3D晶体管只是一个包装词汇而已,原本的晶体管也并不是2D的! Intel对3D晶体管的优势概括为几个方面:更高的能耗比、更快的切换速度、更高的驱动电流,以及比SOI工艺更低的成本增加幅度。但是,加大栅极控制力度的FinFET总归只是个补丁而已,漏电问题依然是存在的,并且随着晶体管密度的增大,另一个重要因素——发热量也越来越集中,这也是IVB相比SNB核心发热量更大的一个主要原因。 |
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最新评论
- 引用 royalk
有这种可能性,但是一般来说待机VID都有0.9V多,只要offset不减太多应该不会蓝屏的
我那颗i3 2100现在待机电压只有0.75V左右,也是1.6G,满载电压0.985V,3.1G,也没事,很稳定
- 引用 kmdizzy
- 刚在官网上查到的,3770K TDP还是77W
http://ark.intel.com/products/65 ... i7-3770K-Processor-(8M-Cache-up-to-3_90-GHz)
那意思是TB上95W的盒装。。。
- 引用 coraloneee
- x58用户表示还是等下一代吧。。。。
- 引用 kmdizzy
- 据说是这样的
转自驱家:
答案直到今天上午才揭晓,著名的爆料大师bigpao007发帖声称Ivy Bridge Core i7-3770K的TDP确实是77W,但主板厂商所收到散热解决方案却依然是按照95W的TDP设计的,实在是不知道Intel此举是何意。但无论如何这个困扰在大家头上的疑云终于是解决了,包装盒上的95W不是总代/Intel犯下的错误,而是实话实说而已,它所要表达的意思是散热器拥有95W的散热能力,而并非Cpre i7-3770K的热设计功耗成了95W。
- 引用 uniqueeric36
- 新手前来报到。。
按照这个帖子的结果,貌似想4.5G做日常使用的话还不如SNB有优势。平台本身价格较高再加上散热器的成本。
当然有提到QuickSync 2.0支持多种编码貌似有点意思。
关于散热器还要好好研究研究。头疼。前两天在关注HR-02 macho发现和asus的兼容性貌似不太好。不知道IVB的话想4.5G日常使用什么档次的散热器比较适合。
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