Gigabyte X79-UD7:3D Power供电解析
技嘉在X79系列主板上都采用了3D Power供电技术,所谓3D Power,实际上是技嘉在主板上采用了3个数字供电(D代表Digital)PWM芯片。去年CHiL的数字供电方案曾经在许多板卡上被采用,但是今年CHiL已经被International Rectifier(IR)收购,IR继续采用CHiL的数字供电方案,并推出了新的PWM芯片及对应的Driver、MOSFET,技嘉此次就采用了这套方案。
首先从主板全景图来看看供电的分布情况:
上面这张图乍看上去可能感觉非常复杂,其实不然,我们一个个部分来解析。
宏观
X79-UD7采用16+2+2+2+2相供电(核心/IMC/VTT/内存/内存),全部使用IR的可编程式数字PWM方案。这五个部分的电压全部可以独立控制、PWM频率全部可独立调节。
PWM芯片
X79-UD7采用了3颗数字PWM芯片,分别是一颗IR3567 8相PWM芯片与两颗IR3570 3+2相PWM芯片。这种数字PWM芯片开放了许多可编程的接口,例如PWM频率、相数配置、可调VID等,它支持Intel VRD12/VRD12.5规范。
CPU核心供电
IR3567芯片负责控制核心的8相PWM信号,通过倍相器IR3598并联出16相,并采用IR自家的H8330/H8318 MOSFET作为上下桥开关,每相一上一下的设计;以及1μH(1R0)电感与三洋POSCAP 2.5V 470μF的输出滤波电容。
内存供电
两颗IR3570芯片分别控制内存的两个2相供电,每相供电采用IR3553 DRMOS,可通过的最大电流为40A,以及日化固态电容滤波。
VTT与IMC/SA
两颗IR3570还分别接管了VTT与VSA的PWM信号,分别用2相和1相通过倍相实现。其中VTT供电同样采用IR3553 DRMOS设计,并用三洋POSCAP电容滤波,在SNB-E上VTT供电可以认为就是PCIE控制器的IO供电;而IMC/SA供电则采用一颗IR3598倍相成两相,每相与核心一样采用一上一下的H8330/H8318 MOSFET设计,它接管了内存控制器与PCIE控制器的供电。
这是主板背面的MOSFET、倍相器与POSCAP电容,它们都负责核心供电:
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