i7-3960X屏蔽了哪些部分？为什么被屏蔽？
桌面版本的SNB-E屏蔽了QPI总线、两个核心以及一部分L3缓存，以下是i7-3960X屏蔽的部分示意图。而3930K进一步屏蔽L3缓存到12MB，3820则再屏蔽两个核心，并把L3缓存屏蔽到10MB（后来得到消息，i7-3820是原生四核，并非下图八核心屏蔽而来，特此更正）。

至于两个核心为什么屏蔽，我觉得凭Intel当前32nm工艺的情况来看，良品率应该不是主要原因；而主要原因我认为是TDP限制，如果八颗核心全部开启，就现阶段来说可能功耗无法控制在130W以内。如果要进一步控制功耗，就要降低工作频率，单线程性能损失，得不偿失。

为什么主板内存插槽一边两个通道？
还是看上面的核心照，SNB-E的四通道实现方式实际上是两个双通道IO，也就是说内存接口在处理器的两边。然而，内存对布线要求是最高的，同一条插槽要求线路等长，并且对干扰很敏感。如果把四条插槽全部做到主板同一侧，那么有一边的走线就要绕过CPU Socket，这样线路会变得很长，延迟（主要是round trip latency）暴增，显然不是好选择。因此只有把内存插槽做到Socket两侧，让两个双通道IO的延迟差不多。但是这样也有两个弊端：一是散热器的兼容问题，让非薄塔散热器和梳子内存并存几乎不可能；二是留给供电的空间就非常狭小，然而SNB-E的130W TDP对供电的需求又不低，因此大多数主板厂商都选用了集成度较高的供电元件，因此可能SNB-E的主板供电会变得很热。

另外，对于许多同学纠结的8条插槽的主板，我是这么看：从电气性能角度出发，8条插槽对主板电气性能要求是更高，想插满8条内存再跑高频我认为不现实；另外，8条内存即使是单条4GB，插满就已经有32GB了，你用得着那么大的内存吗？

关于步进与VT-d的问题
VT-d，即Virtualization Technology for Directed I/O。顾名思义，该技术可以让用户使用虚拟机的时候直接调用IO设备，减少由软件及驱动层处理带来的延迟，尤其是在虚拟机里运行3D时非常有用，属于一种虚拟机领域的硬件加速。在目前C1步进的Sandy Bridge-E处理器上，该技术存在某些bug，导致VT-d不能正常工作。不过Intel已经发现并修正了这个bug，并打算在新的C2步进中修正。注意，SNB-E全系列都支持VT-d，并不想SNB那样K系不支持。这样一来可能就会导致一些有意购买SNB-E处理器并且可能会用到VT-d的用户暂时观望，等待新步进到来再出手。

另外，Intel还打算在明年Q2把SNB-E升级到D系步进，届时桌面版本有望开启所有的8核心及20MB L3缓存，并保持130W的TDP，当然这还只是传言。如果此情况属实，那么到时候SNB-E的超频能力或将更上一层楼。

散热器扣具与顶盖尺寸？
LGA 2011的散热器孔距与LGA 1366一样，但是螺丝大了一号，为M4规格的螺丝，并且主板PCB一般是不穿孔的，所以不能使用LGA 1366扣具的背板和螺丝来凑数。但有意思的是，AMD原装扣具的螺丝却可以在LGA 2011螺孔中使用，所以某些散热器可以尝试使用LGA 1366的扣具加上AMD的螺丝来充当“LGA 2011扣具”。

另外，顶盖（IHS）的长宽为38.1mm*38.5mm，比AMD的37.5mm*37.5mm稍大，但是差距仅在1毫米之内，所以只要底座不是太小的散热器应该都不用担心无法完全覆盖顶盖表面的问题。



超频相关问题：电压有哪些，该加哪个？安全电压是多少？
我再次借助SNB-E的核心照来说明SNB-E核心中每个部分管什么电压：

我们可以看到，SNB-E核心中总共被加了四种电压，结合桌面版本被屏蔽的部分，我们一个个来看这些电压分别有什么用：
VTT/CPU IO（黄色）：由于QPI部分被屏蔽， 因此这部分电压只剩下PCIE控制器IO部分的电压，与SNB平台有些不同，它并不管内存控制器，因此在SNB-E平台加这个电压对内存超频应该无影响。

VCCSA（绿色）：这是System Agent电压，控制QPI控制器、PCIE控制器以及内存控制器的电压。前两个我们可以忽略不管，内存控制器的Memory Agent部分，可能会对内存超频有一定影响，当内存跑高频的时候，或许需要加这个电压。在SNB平台上，这个电压不建议超过1.2V，而在SNB-E平台上，Intel表示这个电压不超过1.4V都是安全的。

VCORE（红色）：这是大家熟悉的CPU核心电压，加这个电压对CPU功耗影响最大，并且直接影响CPU主频的超频能力。由于SNB-E的功耗还是不小的，因此为了保护主板CPU供电，CPU核心电压不建议加太高，烧机电压最好不要超过1.45V，长期使用最好不要超过1.35V，超频跑测试的时候可酌情考虑1.5V左右。

VDDQ/Vdimm（蓝色）：这部分是内存IO的电压，一般是与内存电压绑定，因此内存电压越高这部分电压也越高，Nehalem时代内存电压太高会烧CPU实际上就是烧这部分，在SNB-E上也同样如此。这部分安全电压建议不超过1.65V，超频跑测试的时候可酌情考虑1.7-1.75V。