我相信大家其实更关心闪存接口标准不同，会对速度造成何种影响吧，下面我就来稍微说明下。

从图中可以看到，假设我们写入一个page（页）的数据：
1. 数据是首先存到寄存器里，而传输的速度是25ns一个时钟周期，每个时钟周期为1个字节，图中的话就是需要 2112 X 25ns
2. 数据在寄存器里再写入到闪存上，整个操作耗时大约220us（页）。

如果要把数据从闪存里某个页读取出来：
1. 数据从闪存读取到寄存器，耗时大约25us（页）
2. 数据从寄存器输出到主机，耗时25ns每个字节，和上面一样也就是2112 X 25ns。

如果我们需要擦除数据，则必须按照块的大小来做擦除操作：
如图一个块就等于64个页的容量，做擦除操作需要大约500us时间。

从前面的图中，我们可以算算这颗低容量的古老SLC闪存传输速度。
假设8KB的持续写入，那么大概消耗的时间就是：[（25ns X 2112）+ 220us ] X 4 = 大约1.09ms 相当于传输率：7.3MB/s
假设8KB的持续读取，那么大概消耗时间就是：[ 25us +（25ns X 2112 ) ] X 4 = 大约0.311ms 相当于传输率：25.7MB/s
擦除需要的时间是每个块500us(0.5ms)，那么相当于传输率：256MB/s

接口标准影响的就是前面那张图中红色的地方（每个时钟周期的时间和处理数据的速度。）那么我们把上一章节的数据拿来套上：
上图中的接口标准是Legacy，也就是40MT/s，所以时钟周期是25ns。
ONFI 1.0接口标准速度为50MT/s，就是前面图中红色的地方时钟周期从25ns缩短到20ns。
ONFI 2.0接口标准速度为166~200MT/s，加入了DQS信号(DDR）和源同步时钟，那么就是前面图中红色的地方时钟周期为12ns ~ 10ns（DQS可以让一个时钟周期处理2次数据，那么就是变相的等于6ns ~ 5ns 一次数据交换。）
而三星和东芝的DDR Toggle NAND 1.0接口标准速度为133MT/s，加入了DQS信号（DDR），就是前面图中红色的地方时钟周期为15ns。（DQS可以让一个时钟周期处理2次数据，那么就是变相的等于7.5ns 一次数据交换。）

下面黑色的数据，取决于使用颗粒参数，一般来说MLC的写入（编程）时间是SLC的3倍以上,擦除消耗的时间也大很多。（造成了写入性能低很多，垃圾回收时需要更多的时间）。
 

新工艺的颗粒（例如上图为L74A，25nm的Intel颗粒），厂商在颗粒内部，通过增加了新的寄存器来提高并行处理传输率。2个Plane甚至4个Plane的概念来变相翻倍传输率。由于内部Page（页）尺寸的增大(这里为8KB)，也提高了持续数据传输率。（当然寄存器和颗粒间传送时间也由于Page尺寸增大而增加了，因而会造成随机传输率的降低。）

结合本文的SSD和上面的闪存技术分析，我们接下去看看浦科特和美光的SSD在固件上做法的小区别。