这一段先来分析下颗粒之间的区别，为什么大家都是相同的控制器，但是却只因为颗粒的不同，就能带来性能不同，甚至耐久度也会不同呢？什么叫同步/异步颗粒？什么叫DDR颗粒呢？

首先要知道，当今的闪存主要分2派，一个是以东芝和三星为首（合起来全球份额70%附近），另一个为英特尔和镁光为首。（合起来全球份额20%附近）

早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同，会碰到各种各样的问题，特别是到了06年之后，闪存产业市场需求开始发力，造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题。

2007年1月，以英特尔，镁光，海力士，意法半导体，力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”。

ONFI 1.0制定的是包括：闪存指令，寄存器集，引脚排列，电气参数以及封装等有关标准。主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的自主标准中，将通用的部分抽出进行了标准化。这样便使控制芯片和中间件不依赖于NAND芯片厂商而可实现通用，由此可减轻产品厂商的开发负担。

由于传统的Legacy接口每通道传输带宽为40MT/s，已经不能满足现今高速发展的SSD产品需求。ONFI 1.0标准把传统Legacy接口每通道传输带宽提升到了50MT/s，可以说ONFI 1.0的目的主要是想着统一接口的设计。

2008年2月，ONFI 2.0宣布了，ONFI 2.0的标准使NAND闪存的通道传输带宽从50MT/s提高到了133MT/s，并保持了老版本接口的兼容性。ONFI 2.0主要是通过下面2项技术来缩短数据在缓存区中的交换传输时间。第一，在DRAM里常用的双倍数据流信号技术。第二，ONFI使用了源同步时钟来精确控制锁存信号，使闪存设备达到了更高的工作频率。

2009年2月，ONFI 2.1宣布了，相比ONFI 2.0更加简化了闪存控制器设计，并将传输性能提升到166MT/s ~ 200MT/s附近。ONFI 2.1特别针对上网本等低消费产品应用做了调整，加入了新的Small Data Move指令，解放低端消费产品在纠错功能上的限制，增强ECC纠错能力，新增交错读取支持，允许主机向NAND闪存写入数据时停止时钟来节省用电，新增Change Row Address指令来解决某些情况下NAND闪存操作负担，并同时向下兼容老的ONFI标准并和老NAND界面兼容。

2009年10月，ONFI 2.2宣布了，在ONFI 2.1的基础上，ONFI 2.2加入了独立LUN重置，增强页编程寄存器的清除，新的ICC测量和规范。前两个功能主要增强了多NAND环境下处理的效率，而规范的电流ICC测试和定义将简化供应商的测试和改进数据的一致性。

2011年3月，ONFI 3.0宣布了，提升接口带宽到400MT/s，降低CE针脚需求来提升PCB的布局能力，支持EZ-NAND（闪存内集成ECC）接口。

另一方面，老牌NAND制造厂商三星的接口标准为OneNAND,而东芝的接口标准为LBA-NAND，由于这两家全球份额加起来接近70%，不可能让IM（英特尔/镁光新加坡合资NAND厂）这个后起之秀那么嚣张，所以在2007年底，2家老牌NAND制造厂商进行了技术上交互式授权，将共享三星的OneNAND和东芝的LBA-NAND闪存专利技术和品牌的生产、市场和销售权。
根据这一互惠协议，在有效期内，三星的ONENANA和FLEX-ONENAND两种混合（FUSION）存储器芯片规格，东芝的单片封装LBA-NAND和MOBILELBA-NAND芯片规格都将互相授权给对方使用。同时两家公司还将共同开发和经营基于兼容各项原创技术的产品。

三星的OneNAND和Flex OneNAND均为在一颗芯片上集成NAND核心、SRAM、错误纠正引擎和逻辑电路的混合存储器，接口为NOR。Flex-OneNAND可划分为SLC和MLC两部分，为消费电子及其他应用提供高度灵活性与高性价比闪存存储方案，同时能有效减少开发时间。

东芝LBA-NAND和mobileLBA-NAND均为在单片封装内集成了控制器和NAND闪存的非易失性存储器，针脚和指令序列均与传统的NAND闪存存储器兼容，但采用了逻辑地址访问方法。LBA-NAND面向于移动消费产品，例如数字音频播放器和个人媒体播放器，mobileLBA-NAND则是为手机应用而设计。两者均可减少开发成本和缩短开发周期。

2010年6月，三星和东芝宣布了他们的新的NAND数据通道接口标准。DDR Toggle Mode模式，相比传统的异步NAND闪存，其接口带宽可从40MT/s提升到133MT/s，DDR Toggle Mode NAND闪存使用双向DQS生成输入/输出信号，在信号上升沿和下降沿都能进行资料的传输，所以速度可以翻倍。由于还是异步设计，没有改变特定的时钟信号，相对同步设计上会更省电，设计上会也相对简单。目前DDR Toggle Mode 2.0版也已经宣布，接口带宽增加到了400MT/s。

总结：英特尔，镁光，海力士等的闪存接口标准是ONFI，2.0版本后加入同步模式，内部有一个同步时钟信号，为了兼容异步模式，开机时SSD是首先运行在异步模式的，只有当主控发送同步指令给闪存后，才激活闪存上的源同步时钟，然后针脚定义发生改变，激活DQS信号，并工作在同步模式。东芝和三星的高速接口是Toggle DDR，还是异步设计，相比增加同步时钟信号来说，设计更简单也更省电。2种接口标准内部都有双向DQS信号，所以在信号的上升和下降沿都能进行资料传输，因此速度都可翻倍。