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拨开迷雾寻找真相!OCZ Vertex 4系列固态硬盘深入评测与解析
本站论坛管理员neeyuese基于对OCZ最新Vertex 4固态硬盘性能及特点的疑惑,决定自行购买了一个128GB的型号来研究,希望得知它作为当前SSD跑分之王的秘密,现在就由他带大家看看OCZ的这款SSD是否只是虚有其表 ... ...
MLC和SLC差异的原理
看完上面这段官方的回复,下面用我对这几天测试下来的结果,解析OCZ VERTEX 4 系列固态硬盘1.4RC固件之后的提速原理部分。 我们知道闪存有SLC和MLC之分,当前在OCZ VERTEX 4系列固态硬盘上采用的闪存颗粒都属于MLC闪存。MLC闪存比SLC闪存慢,至于为什么慢?我这里解释下,搞懂了之后会让后面OCZ Vertex4系列固件提速原理更好的理解。 上图是SLC闪存和MLC闪存, SLC闪存可以表示状态“1”或者“0"就是1bit,而MLC闪存可以表示状态“11”,"10","00","01"就是2bit。 其中前面一个数字我们叫高位(Upper Page,MSB),后面个可以叫低位(Lower Page, LSB)。 MLC是如何读取的呢? 需要分2步走,先判断LSB,再判断MSB,总共需要读取2次或者3次电压判定才能得知正确的状态,所以造成读取延迟比SLC高大约2.5倍。不过由于NAND的读取延迟本来就不高,而且MLC相比SLC能多表示1bit,因此对SSD的全局性能起到的影响并不多,可以忽略。 相比读取,写入要复杂的多。 最简单的为编程状态“10",只需要加压超过0.3V就可以。(只编程LSB) 而高位编程分2种,一个是状态”00“,也是最耗费时间的一种,需要在前面编程为”10“的基础上再次加压超过1.5V。(写入更费时)。 另外一个是状态”01“,需要在状态”11“上直接加压超过2.8V来达到。 很明显编程MSB相比LSB需要更多的耗电和时间,这也是为何MLC功耗高,耐久度低,写入性能也比SLC低的关键。 每次编程改变1个状态后,需要立即验证之前的编程操作无误,当编程全部完成没有问题时,则发送编程结束指令,这样在接收到Block擦除指令前,不能再对当前Page进行编程了。 以上电压数值仅做参考,实际数值请参照颗粒的数据手册。 |
本文版权归 PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识 原作者所有 转载请注明出处
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最新评论
- 引用 giorgio
- 本帖最后由 giorgio 于 2012-7-14 22:13 编辑
好帖,头一次这么前排
其实就跑分来说OCZ确实不错。
实用的话,其实马牌的最好
如果是要考虑颗粒寿命以及即将上马的TLC的话还是SF
MLC时代,马牌主控的镁光M4是最好的,是个临界点,无论是寿命还是速度,当然指的是家用,不是做服务器回写。
另外那个30分钟满血复活大法是镁光的固件提供的而不是马牌本身的功能吧?也就是说浦科特是没有这个功能的?
- 引用 magicsimon
- 第一,我举报楼上灌水,沙发应该是我的;
第二,太专业的,我得慢慢看,先mark一下,哈
- 引用 einstein86
- 原来如此,受教了。
- 引用 counterflow
- 原来如此,从原理上分析了VX4的前半段性能翻倍的实质……
- 引用 FlankerWang
- 不知道浴室大能不能估算出OCZ的闲置垃圾回收算法的写入放大大概有多少倍
- 引用 Sumesis
- 真相大白! 和浴大先前的推測相符,
再經過實測證明,就是為了再做確認,辛苦了!
這樣的作法再加上激烈的GC,
以日常的運用寫入放大真的會很難看......
若是他用的是JS29F64G08ACME2(5K P/E Cycle)可能用一般用戶還夠用,
但是若用了JS29F64G08ACME3(3K+)........
或者他己經在準備JS29F64G08ACMF3(20nm, 1K P/E Cycle)........
- 引用 whgp05
- 我挺纳闷的,OCZ市场部的人做了那么多亏心事就不怕遭报应?技术部的人难道完全听信于市场部?每次不是用白片/黑片就是开发这种缺心眼固件。
“OCZ2013财年第一季度财报中固态硬盘业务收入1.065亿美元,同比增长54%,毛利率从20.0%提高到25.0%,净亏损也从910万美元(每股0.2美元)缩小到630万美元(每股0.09美元)” - 每次看这种新闻都提SSD市场担心,耍无赖才能玩到最大。
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