在进入正题前，首先我们要弄清楚内存是干什么用的。内存的作用是充当CPU处理信息的缓存器，平时我们使用计算机的操作大多数是在内存中运行，就像我现在正在打字，在保存它们之前，它们是在内存中的。（这里有个题外话。内存的全称是内部存储器，现在准确说法是RAM，radom access memory 随机访问存储器，也叫易失性存储器，断电后数据消失；硬盘等存储器是外部存储器，也可以叫做外存，非易失性存储器，断电后数据不消失。这两者的工作原理与作用有本质区别，在产业中的位置也不一样，有的网站将内存与硬盘都作为存储类产品放到一起，我认为是不对的。有些入门级用户也经常把这两种产品搞混，比如笔者身边有些朋友，问他电脑内存是多大的，往往回答 "500G"。请大家一定搞清楚。）

内存需要随时与CPU通信，同时也要与外部存储器例如硬盘通信。内存和CPU不一样，并不是频率越高，运算速度就越快。因为内存是一种有存取延时的存储器，用户的每一个操作，都要经过内存响应后交给CPU处理，而内存在读取和写入的时候，都会有一个响应时间，这个响应时间，表现就是通常所说的“时序”，它由四个阿拉伯数字组成，而在JEDEC规范中，这四个数字的排序是规定的，为：CL-tRCD-tRP-tRAS。下面分别简单介绍一下这四个参数的意义。

CAS（Column Address Strobe，列地址信号） Latency：简称CL值，表示从内存收到CPU的读取命令后到读取数据结束（响应）的延迟。是内存在确定地址后到读取（写入）数据之前的响应时间。通俗的说，就好比人的反应时间，从你看到某个事物到做出反应或者想法，你的大脑会有一个响应时间。

图：CAS Latency示意图

RAS（Row Address Strobe，行地址信号） to CAS Delay：简称tRCD，从字面意思理解就是行地址信号到列地址信号的延迟，内存中的数据就好比一个表格，有行有列，当内存要读写某个指定地址的数据时，就需要找到它在第几行第几列，而内存会首先发送一个行地址信号（RAS），再发送一个列地址信号（CAS），而这两个信号发送不是同时的，而是有延迟的，这个延迟就是tRCD，并且，这个延迟对同频率下内存性能的影响最大。

图：tRCD示意图

RAS Precharge：简称tRP，即RAS预充电时间。也就是内存从结束一个数据处理到下一个处理开始前的最短时间周期。

图：tRP示意图

Row Active Delay：简称tRAS，指从内存接受到一个新请求到激活内存地址的间隔，这个参数并不是太重要，因为它只是内存要创建一个新数据时候才用到的延迟，但这个值太高或太低都不好，太高了会导致内存地址激活周期变长，影响性能，太低了会造成已激活的地址提早进入非激活状态，出现数据错误或需要重新激活。

简单的说，CL值是内存对同一地址的存取延时，而后边三个则是寻址延时。

内存宏观延迟的算法很复杂，因为除了以上提到的四个参数外还有许多别的参数，但是我们可以用一个基本算法，计算存取延时，来评定内存的性能。首先我们要知道，以上提到的四个参数，单位都为“周期”，而不是纳秒。一个周期是多长呢？这就是由内存频率决定的。我们知道DDR3-1600的实际频率为800MHz，DDR的意识是双倍的数据传输率（Double Data Rate），并不是真实的工作频率。所以DDR3-1600的内存在1秒钟内可以工作800, 000, 000个周期。那么我们就可以反过来推算出它的频率周期是1.25纳秒，而根据上面提到CL值的含义，假设这里CL值为8 clock，那么我们就可以得到内存真正的存取延迟为1.25*8=10ns。