上边说了这么多颗粒的特征，现在我们就来把它们付诸实际，分成Intel与AMD两个平台来介绍。

在Intel平台，我们首先得搞清楚，Core i3/i5的内存分频最大为1333分频，也就是bclk的10倍，同时还有bclk的8倍也就是1066分频，而Core i7则支持1600分频，为bclk的12倍。在某些主板，例如华硕、映泰等，BIOS的选项会给你直接选择已经计算好的频率，所以要注意改变外频的时候，这些数字会随着改变，不要把超频后的内存频率误认为是某个分频的数字以免混淆。此外，我还想再提醒大家一次，注意X58平台Uncore频率要为内存频率的四倍才能开机。在这里我们以超频到200bclk为例，如果使用1333分频，那么内存将被同步超频到DDR3-2000，而使用1066分频，内存将被超频到DDR3-1600。

对于入门级与进阶级用户，在Intel平台可以选择廉价的、电压较低的、运行在DDR3-1600的内存，那么力晶颗粒就是首选，上边已经提到，力晶颗粒可以在大约1.65v电压下工作在DDR3-1600 6-8-6或者1.55v电压下工作在DDR3-1600到1800 7-8-7，这样搭配上200bclk，使用1066分频刚好合适。不幸买到雷U的同学，bclk或者uncore频率上不去，这时候可以选择使用1333分频来走180bclk，内存工作在DDR3-1800 7-8-7，也是个很好的选择。

对于发烧级玩家，要达成DDR3-2000甚至更高的目标，就应该选择特挑的力晶颗粒，1.65v工作在DDR3-2000 6-9-6，或者尔必达的颗粒，在1.75v以内工作在DDR3-2000 8-8-8甚至更低的延迟。同时，这些颗粒也有冲击DDR3-2400以上的能力，可以供Core i7超频到200bclk还要使用1600分频的同学使用。

Intel平台的内存调教，在前面我们已经提到，Intel平台有个XMP规范，十分方便，因此我们在超频时，可以先在BIOS中载入XMP设置，再在XMP的基础上进行调教。在这里，我以P55-UD4上将G.SKILL F3-12800CL7D-4GBECO，默认为DDR3-1600 7-8-7-24-2T，1.35v的内存，超频到DDR3-2000的设置为例。以下是在BIOS中各项内存参数，我们不必一一知道它们是什么，一般只用根据内存体质改动前四个，其它默认即可。以下表格，是Intel XMP中的预设值，和我设置的值。

表：G.Skill F3-12800CL7D-4GBECO的XMP设置

这里我们将芝奇的F3-12800CL7D-4GBECO超频至DDR3-2000，延迟为8-9-8-24-1T，电压提高到1.56v。这里由于载入了XMP设置，因此许多参数可以使用Auto设定，特别说下TRFC，由于ECO是采用了力晶颗粒，力晶颗粒在上DDR3-2000的时候这项参数很难达到默认值88，因此我们将它提高到108，如果还不稳定可进一步提高至124。

图：成功将Core i7 875K超频到4GHz，DDR3-2000 8-9-8-24-1T

最终DDR3-2000 8-9-8可以完成memtest 20分钟的测试。之后进一步调教，最终在1.64v的时候可以达成DDR3-2000 6-9-6-28-1T，这个频率并不太稳定，这里只是展示一下超频的过程。如果你对自己的条子不放心，放到9-9-9的时序是很稳妥的办法，只是不太好看而已。

图：成功达成DDR3-2000 6-9-6-28-1T