至于在AMD平台上，我们知道想要达成DDR3-2000就不是那么容易，因为大多数主板都无法让内存运行在DDR3-2000上。

不过不要紧，既然上不了高频，我们就应该更注重低延时，在DDR3-1600到1800之间运行，可以让CPU-NB频率达到2600MHz-2700MHz，而Thuban用300外频运行1066分频，内存就可以到DDR3-1600，这时候NB频率刚好在3000MHz。而在DDR3-1600到1800达成低延迟，可以选择尔必达颗粒和镁光D9颗粒，因为在AMD平台上内存电压可以稍微高一些，但也不要超过1.75v。以上两个颗粒，基本可以在1.75v以内、DDR3-1600到1800的频率下就可以6-6-6或者7-7-7的延迟，比力晶颗粒的7-8-7要稍微好些。当然，力晶颗粒依然是廉价的万金油，在配合ASUS主板和Thuban核心的CPU下，也可以达成DDR3-2000 8-9-8。

AMD平台内存的调教，和Intel平台有所不同，首先是没有XMP这样的预设条件，其次是AMD平台各项参数的含义可能和Intel平台有所区别，因此无法参考。以下我以Elpida MGH-E Hyper颗粒和ASUS M4A89TD PRO的设置为例，来说一下AMD平台调教内存的三个要素：

1、内存时序和电压。这个是必须的，也是最重要的，AMD平台的内存时序大概有以下这些：

内存电压，长期使用建议8层PCB不超过1.75v，6层PCB不超过1.65v。这里我设为1.7v。

2、DRAM Drive Strength，这里边的选项，稍微影响高频下的稳定性，把它们全部设为最小值即可。一般来说全Auto也无妨。

3、Channel Interleaving，这一项在Award BIOS的主板上，设为Enabled。而在AMI BIOS的主板上，设为XOR of Address Bit 16:9。

超频实战，最终我使用Phenom II X4 955 Black Edition处理器在210外频下达成了DDR3-1685 6-6-5-18，并通过memtest测试。

图：AMD平台DDR3 1685 6-6-5-18-1T

接下来换上六核心1055T，这里关闭成四核是为了主频能上更高，并尝试冲击DDR3-2000，最终在7-8-7-21下达成DDR3-2000，可惜由于不是黑盒，NB只能运行在2500MHz，性能并不理想。而且这个设置下也不是很稳定，只能跑Everest内存带宽。

图：AMD平台Phenom II X6 1055T达成DDR3-2000

在6-6-6-15下达成DDR3-1600，并同时达成NB 3000MHz。

图：AMD平台Thuban达成DDR3-1600 6-6-6-15-1T

以上超频过程并不是要你模仿笔者，而是重在分析的过程。也就是说，你必须先明白自己的平台，再根据内存的颗粒体质制定一套频率与延时的组合，这样很快就可以达成目的。