JEDEC规范中DDR3默认电压是1.5v，但很多高端内存都使用1.65v甚至更高的电压。其实这些电压都在DDR3安全范围内，日常超频就可以把电压加到1.65v长期使用，跑测试和冲极限还可以再高些。（在这里我要重申一点，根据狂少的建议，非8层PCB，内存电压请不要加超过1.75v，尤其是在Intel P55/X58平台上，因为PCB层数太少，会导致信号质量低劣，有可能损坏CPU内存控制器。）

对不同内存颗粒，电压要区别对待，并非越高越好。例如力晶颗粒在1.6-1.65v之间很好超，高于1.65v后则会变得不稳定。又有部分颗粒比较吃电压，例如三星的HCF0以及镁光的D9系列，在1.8-1.9v才能有比较好的发挥。使用三星HCF0颗粒的金士顿HyperX DDR3-2000，电压标称值就为1.7-1.9v。

总的来说，不论哪种颗粒，在使用8层PCB的情况下，不建议将电压长期超过1.85v使用，而在P55/X58平台，同样不建议超过1.75v。

散热方面，从我自己的使用经验看，不必过多担心，在没有采用特别散热的手段下我都正常超到每种颗粒的极限值并可以跑完memtest 200%（按照上文规定的电压范围进行操作），运行时手摸内存也就是微温而已。只要你不是无限制加电压，那些带水冷头或热管的散热片我个人认为是小题大做。