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Intel 760p固态硬盘评测
2018-3-19 15:45| 发布者: Essence| 查看: 85047| 评论: 23|原作者: Essence
摘要: 2016年上市的Intel 600p终于迎来了换代型号:采用全新64层堆叠3D闪存的Intel 760p。喜获性能升级的760p究竟在NVMe固态硬盘当中处于一个怎样的水平?英特尔固态硬盘产品分为消费级、发烧级、专业级和数据中心级等 .. ...
总结



760p是英特尔消费级NAND闪存固态硬盘中定位最高的产品。通过闪存升级,760p一改上代600p给人留下的性能羸弱印象,成功晋级高端NVMe固态硬盘序列。

在从MLC到TLC、从2D TLC到3D TLC的发展过程中,我们看到了很多初代产品解决从无到有问题,第二代产品针对性查漏补缺和完善增强的例子。Intel 760p使用的第二代64层堆叠3D闪存相比600p中应用的初代32层堆叠3D闪存,单Die容量从384Gb下降到256Gb,更加适合小容量固态硬盘产品,有利于保障性能的发挥。英特尔第二代3D闪存还增补了对Copy Back特性的支持,使得760p在面对超过缓存容量的大量写入时,应对起来更为得心应手。

虽然单Die容量下降,但是英特尔第二代3D闪存的存储密度更高,依旧符合降成本的发展目标。预计英特尔第二代3D闪存后续还会有单Die 512Gb容量的版本,英特尔计划中的1T和2T版760p很可能就在等待它们来实现。


依照《PCEVA产品评价标准》,Intel 760p 256G的PC Mark 8存储分在5000以上,性能体验获得5分;使用缓存加速且离散性高低相差范围超过50%,负载表现获得2分;英特尔原厂3D TLC闪存,做工用料获评4分;PCIe+NVMe,接口协议获评5分;5年质保并由厂商提供直接送修服务,拥有标准工具箱以及NVMe驱动程序,Intel 760p消费体验获得5分。


依照《PCEVA产品评价标准》,Intel 760p 512G的PC Mark 8存储分在5000以上,性能体验获得5分;使用缓存加速且离散性高低相差范围超过50%,负载表现获得2分;英特尔原厂3D TLC闪存,做工用料获评4分;PCIe+NVMe,接口协议获评5分;5年质保并由厂商提供直接送修服务,拥有标准工具箱以及NVMe驱动程序,Intel 760p消费体验获得5分。

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引用 七月流火 2018-3-19 16:39
就关心900p什么时候能到1k以内
引用 440BX 2018-3-19 16:52
主控也打INTEL标了。  SMI不一般啊
引用 440BX 2018-3-19 16:53
七月流火 发表于 2018-3-19 16:39
就关心900p什么时候能到1k以内

这个估计要两年左右吧
引用 红色狂想 2018-3-19 17:20
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿
引用 羽落风尘 2018-3-19 17:21
红色狂想 发表于 2018-3-19 17:20
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿

我喜欢白的
引用 羽落风尘 2018-3-19 17:22
512G写入提升挺大的
引用 waterdq1004 2018-3-19 20:54
以后有需求可以买的系列
引用 Atom 2018-3-19 22:57
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:21
我喜欢白的

额,我喜欢粉的
引用 Atom 2018-3-19 22:58
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:22
512G写入提升挺大的

对,必须买512,容量性能两相宜
引用 knetxp 2018-3-20 08:02
256G最低多少钱能入手?
引用 hongxu1600 2018-3-20 09:42
4K这么高,什么黑科技?
引用 c11220k 2018-3-20 13:04
有一个疑问,在TxBENCH测试中提到
“通过Txbench测试可以看到Intel 760p的4K单线程读取速度在71mB/s(1000进制,换算成1024进制为66.12MB/s)以上,这是一个非常有意思的地方。Intel 760p并未使用3D XPoint闪存,而以普通NAND闪存的延迟水平来说,这样的4K单线程读取速度是难以实现的。Intel到底是怎样做到的?后面的章节中会有单独的测试和说明。”
可是并没有看到后面的说明?到底是什么技术有这么高4K的成绩?
引用 guangyunjian 2018-3-20 14:22
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次
引用 红色狂想 2018-3-20 22:44

脑海里瞬间出现的是影驰玩家堂
引用 krest 2018-3-20 23:47
guangyunjian 发表于 2018-3-20 14:22
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次

两兄弟长的再像也是两个人,两段长的再像,也有区别
引用 doymll 2018-3-21 15:50
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.
引用 arc100 2018-3-21 16:58
doymll 发表于 2018-3-21 15:50
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.

Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
缓存用南亚的挺合适,南亚市占率低价格给的估计很友好,而且三星美光都去做大容量DARM颗粒了,512MB的颗粒估计也不好买了。512G用hynix显然是因为hynix的体积小一些,南亚那个512M的太大,单面PCB布局放不下两颗,以上纯个人猜测,如有谬误请指正。
引用 doymll 2018-3-21 16:59
arc100 发表于 2018-3-21 16:58
Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
...

我以为是因为成本问题.才上的南亚.不清楚intel自家没有.
就是其他更高级别的.也是南亚 镁光之类的吗
引用 NuclearBomb 2018-3-21 22:45
价格咋样?看好512的了

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