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Intel 760p固态硬盘评测
2018-3-19 15:45| 发布者: Essence| 查看: 85046| 评论: 23|原作者: Essence
摘要: 2016年上市的Intel 600p终于迎来了换代型号:采用全新64层堆叠3D闪存的Intel 760p。喜获性能升级的760p究竟在NVMe固态硬盘当中处于一个怎样的水平?英特尔固态硬盘产品分为消费级、发烧级、专业级和数据中心级等 .. ...
基准测试



基准测试1:TxBENCH测试

通过Txbench测试可以看到Intel 760p的4K单线程读取速度在71mB/s(1000进制,换算成1024进制为66.12MB/s)以上,这是一个非常有意思的地方。Intel 760p并未使用3D XPoint闪存,而以普通NAND闪存的延迟水平来说,这样的4K单线程读取速度是难以实现的。Intel到底是怎样做到的?后面的章节中会有单独的测试和说明。

256GB:


512GB:


使用微软默认驱动测试时,Txbench对Intel 760p的Max区块是256K,而安装Intel NVMe驱动之后,Txbench对Intel 760p测试的Max区块会变回128K。为方便对比,这里补充测试CrystalDiskMark 5.5与CrystalDiskMark 6.0的测试成绩。两个版本CrystalDiskMark的主要不同在于CrystalDiskMark 6.0用4K Q8T8随机读写取代了CrystalDiskMark 5.5中的Seq持续读写测试,这个变化主要是针对NVMe而设。NVMe协议能够支持最多64K个队列,每个队列支持64K条命令,而AHCI协议仅有一个队列,32条命令。4K Q8T8在NVMe固态硬盘中理论上有机会发挥出比4K Q64T1更高的性能。

256GB:


512GB:


基准测试2:PC Mark 7测试

256GB:


512GB:


基准测试3:PC Mark 8测试

Intel 760p 256G与512G的PC Mark 8成绩在当前NVMe固态硬盘当中都属于上游水平,但相比Intel 750 400G略低一些。

256GB:


512GB:


基准测试4:SLC Cache测试

Intel 760p 256GB的SLC缓存容量大约为3GB,缓存外持续写入速度大约280MB/s。


Intel 760p 512GB的SLC缓存容量大约为5.5GB,缓存外持续写入速度大约550MB/s。

Intel 760p使用了一种特殊的SLC缓存策略,具体内容将会在单独文章中解读。

基准测试5:NVMe驱动影响

英特尔为760p提供了NVMe驱动支持,该驱动除了能方便Windows 7系统安装之外,还可以对Windows 10下NVMe固态硬盘性能起到一定帮助。为了测试的精准度,评测中大部分测试项目使用了微软默认stornvme驱动,但有必要在此对Intel NVMe驱动的性能做一简单对比。

256GB:
安装Intel NVMe驱动后CrystalDiskMark测得的持续与随机读写性能均有不同幅度上涨:

PC Mark 7存储测试展现出来的差异不太明显,安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark7标准存储成绩下降1分,RAW成绩则上涨347分。

在安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark 8存储测试成绩发生下滑,存储分小降2分,存储带宽则下降4.42MB/s。


512GB:
安装Intel NVMe驱动后Intel 760p 512G在CrystalDiskMark中提升最明显的是4K单线程随机读写性能,分别提高4.11MB/s和39.7MB/s。


PC Mark 7存储测试展现出来的差异不太明显,安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark7标准存储成绩上涨8分,RAW成绩则上涨462分,对实际使用性能影响较小。


在安装Intel NVMe驱动之后测得的PC Mark 8存储测试成绩上涨4分,存储带宽上涨18.53MB/s。


基准测试6:发热与限速点

禁用PCIE Express链接状态电源管理,室温19度裸机环境下Intel 760p 512G待机温度大约为35度左右。


以2048K区块进行QD32持续写入,5分钟内最高温度69。Intel 760p的温度限制在69度左右,达到该温度后触发限速,其后温度会在67度到69度之间波动。


Intel 760p的缓存外写入速度并不快,持续读取更容易使温度快速达到限温点。闲置稳定温度下使用2048K区块QD32持续读取,只需不到1分钟就会达到限温点。通过测试发现,Intel 760p报告的最高温度为70度。由于热成像仪的限制,带有金属外壳的主控位置温度不能被正确识别。靠近主控附近的最热点测得温度84.1度,估计主控温度应该在100度左右。

制约NVMe固态硬盘耐温值的主要是NAND闪存以及DRAM缓存,它们的安全工作温度上限通常在70到95度之间,而主控芯片作为主要发热源,在设计时已经充分考虑了高温问题。当前NVMe固态硬盘报告的温度通常都不是主控温度,而是由靠近闪存或缓存的独立测温元件报告的。


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最新评论

引用 七月流火 2018-3-19 16:39
就关心900p什么时候能到1k以内
引用 440BX 2018-3-19 16:52
主控也打INTEL标了。  SMI不一般啊
引用 440BX 2018-3-19 16:53
七月流火 发表于 2018-3-19 16:39
就关心900p什么时候能到1k以内

这个估计要两年左右吧
引用 红色狂想 2018-3-19 17:20
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿
引用 羽落风尘 2018-3-19 17:21
红色狂想 发表于 2018-3-19 17:20
嗯,一看见黑色pcb就来劲儿

我喜欢白的
引用 羽落风尘 2018-3-19 17:22
512G写入提升挺大的
引用 waterdq1004 2018-3-19 20:54
以后有需求可以买的系列
引用 Atom 2018-3-19 22:57
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:21
我喜欢白的

额,我喜欢粉的
引用 Atom 2018-3-19 22:58
羽落风尘 发表于 2018-3-19 17:22
512G写入提升挺大的

对,必须买512,容量性能两相宜
引用 knetxp 2018-3-20 08:02
256G最低多少钱能入手?
引用 hongxu1600 2018-3-20 09:42
4K这么高,什么黑科技?
引用 c11220k 2018-3-20 13:04
有一个疑问,在TxBENCH测试中提到
“通过Txbench测试可以看到Intel 760p的4K单线程读取速度在71mB/s(1000进制,换算成1024进制为66.12MB/s)以上,这是一个非常有意思的地方。Intel 760p并未使用3D XPoint闪存,而以普通NAND闪存的延迟水平来说,这样的4K单线程读取速度是难以实现的。Intel到底是怎样做到的?后面的章节中会有单独的测试和说明。”
可是并没有看到后面的说明?到底是什么技术有这么高4K的成绩?
引用 guangyunjian 2018-3-20 14:22
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次
引用 红色狂想 2018-3-20 22:44

脑海里瞬间出现的是影驰玩家堂
引用 krest 2018-3-20 23:47
guangyunjian 发表于 2018-3-20 14:22
依照《PCEVA产品评价标准》 这一段出现了两次

两兄弟长的再像也是两个人,两段长的再像,也有区别
引用 doymll 2018-3-21 15:50
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.
引用 arc100 2018-3-21 16:58
doymll 发表于 2018-3-21 15:50
对了.好奇他的缓存怎么不用INTEL自家的.

Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
缓存用南亚的挺合适,南亚市占率低价格给的估计很友好,而且三星美光都去做大容量DARM颗粒了,512MB的颗粒估计也不好买了。512G用hynix显然是因为hynix的体积小一些,南亚那个512M的太大,单面PCB布局放不下两颗,以上纯个人猜测,如有谬误请指正。
引用 doymll 2018-3-21 16:59
arc100 发表于 2018-3-21 16:58
Intel自己没DRAM产线的,连NAND也是在和美光合资工厂里产出的,后边和美光分家后估计会在大连厂造NAND。
...

我以为是因为成本问题.才上的南亚.不清楚intel自家没有.
就是其他更高级别的.也是南亚 镁光之类的吗
引用 NuclearBomb 2018-3-21 22:45
价格咋样?看好512的了

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