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性价比之选:三星单条4GB内存(HCH9颗粒)测试
2011-6-16 01:49| 发布者: royalk| 查看: 18569| 评论: 0
摘要: DDR3内存现在已经全面进入40nm时代,由于晶体管尺寸变小,导致Die-Size直接变小,内存的容量也就进一步提升了,于是单条4GB在2011年也开始走向普及阶段,许多用户都开始考虑使用8GB的内存。但是单条4GB的内存以及8GB ...
单通道频率、时序及电压调教

HCH9颗粒可以吃电压,不过以6层PCB的情况,长期使用我不建议超过1.65V,在这里我测试最高电压不超过1.75V。HCH9其实并不是新颗粒,在DDR3早期就涌现过不少黑马,当时在P45平台能超频到DDR3-1800到2000已经为人们所赞扬,但是如今大家的要求也越来越高,那我测试的标准也要跟着提高吧,那么就果断2133直开了。


测试平台:
CPU:Intel Core i7-2600K
主板:MSI Z68A-GD80
内存:三星M379B5273CH0-CH9 4GB
显卡:集成HD3000
硬盘:西数320G蓝盘
电源:安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
散热器:九州风神冰阵600

DDR3-2133直开1.688V 9-10-10-28-1T,TRFC=160,SuperPi 32M,tRP=9的时候无法通过自检,无论怎么加压都不行。设为10比较稳定。

收一档CL,1.75V 8-10-10-28-1T,不过只能看,跑个PI 1M意思一下:

之前有网友发1.5v 10-10-10-27的截图问是什么情况,没错,能启动,但也只能看。其实CL10和CL9需要的电压区别不是很大,CL10能运行的测试,CL9再提高0.05v以内的电压就可以。Memtest需要把TRCD放到11才能走,1.7V 9-11-10-27-1T Memtest:

DDR3- 1866 8-9-9-24-1T 1.6V

1600 7-8-8 1.55V

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