ASUS GTX580 DCII正面照（点图放大）

ASUS GTX580 DCII PCB背面（点图放大）

想必大家已经注意到核心背面那颗Proadlizer电容了，它就是我们经常可以在ROG主板上看到的薄膜去耦电容NEC/TOKIN 0E907。

GF110核心，拥有30亿晶体管，核心面积为520平方毫米。

显存是三星的0.4ns GDDR5，每颗为32bit/128MB的规格，这张GTX580 DCII总共使用了12颗这样的显存。

供电设计：华硕这张GTX580 DC II的供电彻底重新设计过，显卡将几乎不从PCIE插槽取电。我们知道PCIE插槽的最大供电能力为75W，像GTX580这种级别的显卡要从PCIE取50多W的电，如果在多卡并联时 ，对PCIE插槽的供电要求是相当高，甚至有烧毁主板PCIE插槽及24pin的危险，所以华硕重新设计的供电化解了这个隐患。华硕GTX580 DCII的核心与显存采用8+2相分离式供电设计，每相为2上2下的MOSFET，关注过 GTX580的朋友都知道公版GTX580的供电在解开电流限制后烧毁的事故已经出过多次，公版GTX580采用的是6相核心供电，每相是一上二下的MOSFET设计，相比起来，华硕的8相供电，每相2上2下的设计会更安全。 每2相供电采用一颗uP6282BD作为驱动芯片单独驱动，这样可以使得MOSFET开关信号更加精确，增加电流的稳定性，也是为了元件的安全考虑，因为有时候烧卡就发生在电流瞬间变化的时候，那就是驱动芯片没有给 MOSFET提供正确的开关频率，使得电压瞬间升高导致的。

PWM芯片被华硕打磨，不过它的真身从封装和周围的元件排布来看，应该会是uP6225AM，在测试MSI N480GTX Lightning的时候见过，它应该是一颗4相供电PWM芯片，华硕通过四个驱动芯片各自并联 电感的方式实现了8相供电。

华硕的Direct CU II散热器：在之前介绍HD6970 DCII的时候我们已经介绍过，但是GTX580的核心顶盖面积较大，可以接触5条热管。我们简单回顾一下这个散热器的设计：5条8mm的热管采用HDT（热管直 触）底座，鳍片与热管之间采用穿FIN工艺，由于华硕采用两个9025风扇，在大约4cm的厚度内预留给鳍片的空间就非常少，所以鳍片散热面积非常有限。

最后来个拆解零件全图，MOSFET有专门的散热片，另外背板也算是提供了一部分散热的功能。