测试平台
CPU：Intel Core i7-3960X OC 4.5GHz
主板：技嘉X79-UD3
内存：三星 M379B5273DH0-YK0 4GBx4
显卡：MSI R6570 MD1GD3
硬盘：浦科特PX-128M2P
电源：安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
散热器：Noctua NH-D14

X79平台我多说两句，首先是IMC电压（一些主板叫VCCSA/VSA/System Agent电压，都是一回事）太高或者太低都会导致不稳定，一般跑2000以下的频率保持默认的0.845-0.865V即可，跑2133在0.9V左右是比较合适的，2400则在0.98-1V比较合适，2500以上可能需要加到1.05左右，再高都不会有什么提升。但这也不是绝对的，要看具体的内存颗粒和内存电压来定。然后是VTT电压，在插满四条内存时超频可能需要加这个电压，默认是1.05V左右，也不需要加太多，1.15-1.2V就够。最后是内存电压，三星30nm颗粒不喜欢高压，最佳工作电压通常在1.5-1.6V之间，超过1.6V通常会对稳定性造成负面影响。

上来我们还是先来跑DDR3-2133 9-10-10，由于该内存没有XMP，我们在X79-UD3上手动进行时序设置：

最终经过各种尝试，在内存电压1.58V、IMC电压0.895V、VTT电压1.155V时可以跑12开memtest测试。16GB要跑很久，由于时间关系我们只跑了100%多一些，这样的稳定性对日常使用来说应该基本能满足,但是三星颗粒的稳定性模糊的情况依然可能存在。