颗粒特写：K4B2G0846D-HYK0，我们还是按照三星的OPN Decoder上来对照颗粒上的字信息含义。

K：内存
4：颗粒种类，DRAM颗粒
B：DDR3
2G：容量，2G表示2Gb，也就是单颗256MB颗粒。每个颗粒有15位的位元线和10位的字元线。
08：组织（Organization），通常增加内存颗粒的容量，就是增加位元线的位数（即行地址数）。在256MB的颗粒中，每15位位元线与10位字元线组成一个cell矩阵，共可以存储32768*1024=32Mbit的数据量，并且每个矩阵有一个IO引脚，每次能传输1bit的数据。DDR3的标准是将8个这样的矩阵组织在一起，因此每个颗粒的位宽为8bit。
4：逻辑bank数，4对应8 banks，逻辑bank与物理bank有区别，逻辑bank在颗粒的内部，而物理bank则指内存PCB上的一个颗粒位置。因此颗粒容量就是32Mbit*8 Organization*8 banks=2Gb=256MB这么算出来的。
6：VDD电压，也就是颗粒的工作电压，1.5V。前面提到这个内存的默认电压是1.35V，那是SPD的设置，因此实际上默认情况下内存是以低于颗粒默认电压运行的。
D：Die revision，Rev. D就是30nm的颗粒，之前我们看到的Rev. C是40nm的。

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H：封装，FBGA，单Die
Y：工作电压1.35V，另外有C为1.5V
K0：这两位合起来表示工作速度，K0表示1600/CL11，其它工作速度可以参考以下PDF解释：

来看看与老的40nm黑条颗粒对比，虽然制程不一样，但是封装面积都是一样大的。所以表面上只能从颗粒的标来分辨制程，认清第二行最后一个字母，C代表40nm，D代表30nm即可。

对于内存测试，我还是想重提一下测试方法，由于目前内存多通道技术、带宽提升极快，内存的理论带宽值已经大大超过了CPU的内存控制器的承载量，因此提升内存频率不会带来太多的性能提升。然而，内存辅助CPU超频的作用一直不会改变，因此我们的测试主要以超频及稳定性测试为主。本次测试分别在Intel Sandy Bridge（Z68）、AMD推土机（990FX）、Intel Sandy Bridge-E（X79）三个最新的平台上展开，看看三星30nm黑条在三个平台上超频表现分别如何。