测试平台：
CPU：Intel Core i7-2600K OC 4.5GHz
主板：GIGABYTE Z68X-UD3R-B3 BIOS: F6，节能关闭
内存：G.Skill F3-14900CL9D-8GBSR @ DDR3-2133 9-11-10
显卡：MSI R6570 MD1GD3
硬盘：Samsung SSD 830 128GB/256GB + WD 320G AAKS
电源：安耐美冰核REVOLUTION 85+ 1050W
接口：SATA 6Gbps，SATA模式：AHCI，驱动：Intel Rapid Storage 10.6.2.1001

CrystalDiskInfo识别的三星830系列SSD信息，我们知道绝大多数SSD都无法看到温度，但是三星的830可以看到工作温度，而且还挺准。不过SMART信息中可识别的依然非常少。以下是Samsung SSD 830 128GB的识别信息：

以下是Samsung SSD 830 256GB的识别信息：

CrystalDiskMark 3.01 X64
CrystalDiskMark默认运行5次，每次100MB的数据量，取的是最好成绩。随着使用容量的提升，缓存中地址列表会增大，读写命中率会下降，并且还会造成主控寻址负担。三星830 128GB基本上跑出了规格上标注的性能，8KB的page就可以让总共32个die、128GB的盘在持续写入跑出300MB/s；而4KB随机读取速度在26.5MB/s左右，也基本上达到了2011年SSD中高端产品的水准；在NCQ上的表现，4KB QD32读取非常强劲，达到300MB/s（76800IOPs）以上，而4KB QD32写入则与QD1区别不大，仅为100MB/s出头（大约26500IOPs）。在满盘时三核心的主控应付起来没有太多压力，加上缓存与算法的优化，空盘与满盘测试成绩差不多。所以从CDM的测试结果来看，三星830系列的持续读写很强，随机读取不错，随机写入一般，尤其是多QD下。

Samsung SSD 830 128GB CrystalDiskMark跑分图：左边是空盘，右边是满盘，下同。

256GB的盘由于64个die，持续写入更上一层楼，达到400MB/s，4KB随机写入也有大约10%的提升，但是4KB QD32随机写入依然只比QD1高一点点，32000左右的IOPs也比标称值低一点点。
Samsung SSD 830 256G CrystalDiskMark跑分图：

AS SSD Benchmark 1.6.4194.30325
AS SSD的持续读写成绩亦接近标注值，4KB QD1读取与写入亦表现不错，这里不再讨论。我们注意到4KB随机写入QD64比QD1还慢，仅有18000IOPs左右，与标称值距离也甚远，可能是三星的算法对NCQ的优化还不够，或者垃圾回收效率太低所致。看来未来三星还需要研发新固件来优化随机写入性能。

256GB的情况比较有意思，在满盘的时候随机4KB QD64的读取与写入皆有提升，其中4KB QD64写入比较接近QD1的值，跑了好几次都是如此。
Samsung SSD 830 256GB的AS SSD跑分图：

PCMark 7
PCMark 7是一个脚本测试软件，模拟普通用户的日常操作情况。在存储方面，PCMark 7加入了各种模拟应用测试，它不会有很深的QD，也不会有太大的数据流量，虽然还是以随机读写为主，但是文件大小也是各有差异，因此不会对主控和缓存造成太大的压力。无论如何填容量，测试结果都差不多，从 PCMark 7的测试原理来看，它会比以上的理论测试更接近实际使用情况。

无论是空盘还是满盘下，总分与每项测试的成绩均相差无几，与其他盘一样，目前的SSD对于日常使用而言性能已经不会成为瓶颈，5300分也达到了2011年中高端SSD的水准。
Samsung SSD 830 128G PCMark 7跑分图：

256G的情况类似，与128G的分数相差无几，操作文件较大的图片载入、开启程序有些许提升，致使总分提高了20多分。
Samsung SSD 830 256GB PCMark 7跑分图：