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浦科特 M5P 128G/256G/512G 评测
看过PCEVA写的浦科特SSD产品测试的朋友都应该知道,浦科特(PLEXTOR)的SSD产品以品质著称,这次PCEVA会测试浦科特最新的旗舰M5P全系列容量产品,从性能到特点向大家讲解新一代主控和颗粒带来的区别 ...
全系列M5P拆解分析
M5P与别的SSD类似,外壳采用四颗十字螺丝固定,PCB同样采用四颗十字螺丝固定。外壳内部贴有导热贴帮助主控和NAND散热。图中这块是128GB的M5P 128GB M5P的颗粒面,这一面的PCB排下了全部的8颗东芝MLC NAND颗粒,单颗容量为16GB。另外还有一颗南亚的DRAM颗粒作为缓存。 128GB M5P的主控面,我们看到Marvell 88SS9187主控芯片。 Marvell 88SS9187 莫纳主控特写,这是一颗双核主控,内部集成的处理器为Marvell 88FR102 V5 CPU,支持8根闪存通道,每根通道均可以跑Mode 6(200MB/s)传输率,支持最大1GB的DDR3-800缓存用来存放映射表等需求(本次浦科特M5P最大容量512GB采用了768MB),支持混合闪存模式(每根通道都可以自定义,但目前未见产品采用),支持内部冗余模式(目前未见产品采用,可能今后定位企业级的产品会使用),支持多种节能特性针对超极本优化。 南亚的缓存DRAM颗粒特写,Part Number为NT5CB128M16BP-CG,速度为DDR3-1333 CL9。从南亚的官方网站我们查到它的Density为128Mbx16=2Gb,也就是256Mbytes。因此它是单颗256MB的颗粒。 闪存颗粒部分,可以看到颗粒编号为TH58TEG7D2JBA4C。这是Toshiba的19nm Type A MLC颗粒,内部2个Die(芯片),8KB Page,1个Block为256个Page(2MB),2个Plane,接口为DDR 2.0 (400MT/s),132BGA封装。当主控固件的ECC能力为24bit/1KB时候为1000 P/E,而当ECC能力提高到40bit/1KB时候则为3000 P/E,P/E用尽前掉电数据保存期为1年以上。(官标的P/E和掉电数据保存期指标和之前的32nm Toshiba MLC颗粒基本是一样的。) 看这PCB上的白色编码,果然主控和颗粒的针脚定义都没变,这完全就是M3系列的PCB嘛。 256GB M5P的颗粒面,这一面的PCB排下了全部的8颗东芝MLC NAND颗粒,单颗容量为32GB。另外还有2颗南亚的DRAM颗粒作为缓存。 主控方面老样子,Marvell 88SS9187 内部代号“莫纳” 2颗南亚的缓存DRAM颗粒特写,Part Number为NT5CB128M16BP-CG,速度为DDR3-1333 CL9。从南亚的官方网站我们查到它的Density为128Mbx16=2Gb,也就是256Mbytes。因此它是单颗256MB的颗粒,总共组成512MB容量。 闪存颗粒编号为:TH58TEG8D2JBA8C,这是Toshiba的19nm Type A MLC颗粒,内部4个Die(芯片),8KB Page,1个Block为256个Page(2MB),2个Plane,接口为DDR 2.0 (400MT/s),132BGA封装。当主控固件的ECC能力为24bit/1KB时候为1000 P/E,而当ECC能力提高到40bit/1KB时候则为3000 P/E,P/E用尽前掉电数据保存期为1年以上。(官标P/E和掉电数据保存期指标和之前的32nm Toshiba MLC颗粒基本是一样的。) 512GB M5P的颗粒面,这一面的PCB排下了全部的8颗东芝MLC NAND颗粒,单颗容量为64GB。另外还有2颗南亚的DRAM颗粒作为缓存。 512GB M5P的主控面,还是一颗大大的Marvell 88SS9187主控芯片。 512GB M5P的缓存为768MB,南亚的缓存DRAM颗粒特写,一颗Part Number为NT5CB128M16BP-CG,速度为DDR3-1333 CL9。从南亚的官方网站我们查到它的Density为128Mbx16=2Gb,也就是256Mbytes,它是单颗256MB的颗粒。另外还有颗Part Number为NT5CB256M16BP-CG,相同参数但Density为256MbX16=4Gb的512MB颗粒。 闪存颗粒编号为:TH58TEG9D2JBA89,这是Toshiba的19nm Type A MLC颗粒,内部8个Die(芯片),8KB Page,1个Block为256个Page(2MB),2个Plane,接口为DDR 2.0 (400MT/s),132BGA封装。当主控固件的ECC能力为24bit/1KB时候为1000 P/E,而当ECC能力提高到40bit/1KB时候则为3000 P/E,P/E用尽前掉电数据保存期为1年以上。(官标P/E和掉电数据保存期指标和之前的32nm Toshiba MLC颗粒基本是一样的。) |
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- 引用 FlankerWang
- 终于等到全系列完整的测评了
有点对256G心动,希望价格再亲切点就好了
- 引用 tonglin8015
- 想求教一下,文中提到“关闭节能后测试的3款SSD跑分都轻松超过1000分大关”,这个关闭节能是怎么关?在BIOS 还是在系统里? 谢谢~
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