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宏碁N8000评测:新一代PCIe 5.0 SSD撑起一片天
去年底我们测试了慧荣在PCIe 5.0 SSD上新布局的SM2504XT主控,它不仅能提供比同类主控更高的读写速度,还使用更先进的制造工艺降低功耗。现在我们有机会评测采用这款主控的正式版产品——宏碁N8000固态硬盘,一 ... ...
进阶测试
进阶测试项目1:SLC缓存及缓外写入速度测试 在无文件系统条件下使用IOMeter进行128KB QD32顺序写入测试30分钟,每秒记录。在空盘条件下宏碁N8000 2TB能提供大约600GB的可用SLC缓存容量。缓外TLC直写速度达到4270MB/s,这是很多同容量级旗舰级SSD都未必能达到的水平。 进阶测试项目2:TLC直接读取性能测试 SSD的顺序读取速度同时受到闪存接口速度、通道数量以及外部PCIe接口带宽的影响。PCIe接口大提速以及QLC闪存的应用,使得“缓外”顺序读取速度成为大家关注的焦点。和写入时的情况一下,SLC缓存的读取性能也是高于TLC状态的。由于缓存的原理使然,日常使用中数据主要是从TLC状态读取,如果闪存的直接读取性能不佳就可能出现测速和实际使用体验脱节的情况。 这个测试在顺序写入填满全盘之后进行,使用fio进行1MB QD8顺序读取,宏碁N8000 2TB的成绩为10.8GB/s,TLC读取也能达到满速水平。至于SLC缓存的读取速度为何没有变得更快(比如14GB/s),那是因为4通道设计搭配3600MT/s接口速度,最高只能实现11GB/s的带宽(未来的闪存支持SCA协议后带来传输效率提升,慧荣SM2504XT主控方案的SSD顺序读取速度有望进一步提升到12GB/s)。 接下来我们测试全盘范围的4K单线程随机读取,测试时长1000秒,这里测试的是不受SLC缓存影响的TLC读取成绩。此外,主流级的DRAMLess设计节省了DRAM缓存的成本,由HMB共享部分主机内存作为缓存来提升性能。但HMB的容量有限(Windows自带Stornvme驱动限制为不超过64MB),所以大范围内的4K随机读取性能还是不如旗舰级SSD采用的DRAMBased方案。不过即便是DRAMLess设计,宏碁N8000 2TB的4K单线程随机读取成绩还是非常亮眼:53.6MB/s。 这个成绩已经可以直面PK一些DRAMBased旗舰型号!三星9100 PRO的成绩也仅为61.4MB/s,差距并不是很大。宏碁N8000的优势主要来自它所采用的闪存,在读取延迟上的表现要比三星9100 PRO所用的三星第八代V-NAND更出色。 进阶测试项目3:温度压力测试 温度压力测试在室温25度,安装主板M.2散热片,被动散热条件下使用IOMeter进行(1MB QD8T1顺序读取),以考察SSD在连续高负载条件下的温控机制。宏碁N8000在连续15分钟的满载读取测试中没有出现过热限速。 SSD的能效表现不仅和温度有关,在笔记本电脑上安装使用时还会影响到电池续航时间。宏碁N8000采用6纳米工艺制造的慧荣SM2504XT主控,在功耗表现上具有优势,相比以往的Gen5主控方案更适合笔记本电脑安装使用。 |
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