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三星推出第十代V-NAND闪存

2025-2-27 18:09| 发布者: 绝对有料| 查看: 474| 评论: 0|原作者: 绝对有料

摘要：在2025国际固态电路会议上，三星宣布了即将推出的第十代V-NAND闪存，堆叠层数超过400层，接口速度高达5600MT/s，使得四通道主控的PCIe 5.0 x4满速方案成为可能，并未更远的八通道PCIe 6.0 SSD奠定基础。三星第十代 . ...

在2025国际固态电路会议上，三星宣布了即将推出的第十代V-NAND闪存，堆叠层数超过400层，接口速度高达5600MT/s，使得四通道主控的PCIe 5.0 x4满速方案成为可能，并未更远的八通道PCIe 6.0 SSD奠定基础。

三星第十代V-NAND闪存的单die容量仍保持为1Tb，可以为较小存储容量的设备提供写入速度保障。存储密度方面，3D TLC类型的第十代V-NAND实现了每平方毫米28Gb的密度，同过去3D QLC的水平相当，这意味着能够以较低的成本实现更高的性能。

三星在第十代V-NAND闪存中首次使用了CoP混合键合外围单元架构，这是实现5600MT/s闪存接口速度的关键。为此，三星从长江存储获取了混合键合专利授权。据韩国媒体ZDNET称，三星认为长江存储的专利在V10以及未来V11、V12等下一代NAND闪存开发中都是无法绕过的。

作为NAND闪存制造行业的后来者，长江存储跳过了CuA设计，前瞻性地采用晶栈Xtacking技术，将存储阵列和CMOS外围电路在单独晶圆上制造，从而避免了存储阵列制造过程中沉积注入等高温工艺对CMOS外围电路部分的影响，二者最后通过晶圆键合成为一体。除了三星之外，铠侠/闪迪和美光也都将采用类似的技术来满足未来闪存接口提速的需求。

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