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三星第九代V-NAND|微软解决兼容故障

2024-4-15 18:41| 发布者: 绝对有料| 查看: 559| 评论: 1|原作者: 绝对有料

摘要：据韩媒Hankyung报道，三星预计将在本月内宣布第九代V-NAND闪存量产的消息。TechInsight称三星第九代V-NAND为280层堆叠，而Hankyung则称之为290层。当前量产的三星第八代V-NAND为23 ... ...

三星第九代V-NAND闪存本月量产：
据韩媒Hankyung报道，三星预计将在本月内宣布第九代V-NAND闪存量产的消息。

TechInsight称三星第九代V-NAND为280层堆叠，而Hankyung则称之为290层。当前量产的三星第八代V-NAND为236层堆叠。

三星第九代V-NAND将延续自第七代以来的2-deck结构。而在此之外三星还开发了一款单deck的V6 Prime版本（133层堆叠），并被应用到了三星990 EVO当中。预计明年问世的第十代V-NAND闪存将通过3-deck实现430层堆叠。

时隔两年微软终于解决了驱动兼容故障：
早在2021年的时候，微软和英特尔发现第11代酷睿平台上的英特尔智能声音技术驱动（SST）的某些版本存在不兼容问题，可能会导致Windows 11蓝屏。微软在2021年11月提供了一个临时的缓解方案：阻止安装有特定SST驱动版本的电脑升级到Windows 11，引导用户去英特尔官网下载新版驱动。

没想到这个临时方案一用就是两年多，在此期间Windows 11 21H2、Windows 11 22H2、Windows 11 23H2三大版本都对受影响的电脑关闭大门。直到上周末，微软终于将这个影响部分英特尔第11代酷睿用户升级的驱动兼容性问题彻底解决，Windows Update可以更新正确的驱动并升级到Windows 11。

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