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AMD AM5+插槽 | 硬盘容量6年翻N倍
2024-4-7 18:45| 发布者: 绝对有料| 查看: 819| 评论: 0|原作者: 绝对有料
摘要: 在开源软件MC Extractor近期的更新日志中,首次提到了AMD的AM5+平台。有关AM5+我们现在知道的还很少,有观点认为它将在2026年的某个时间问世,并且会跟现有的AM5保持一定程度上的兼容性 ... ...
新发现AMD AM5+插槽:
在开源软件MC Extractor近期的更新日志中,首次提到了AMD的AM5+平台。


有关AM5+我们现在知道的还很少,有观点认为它将在2026年的某个时间问世,并且会跟现有的AM5保持一定程度上的兼容性。


至于为什么要在AM5的基础上推出AM5+,或许可以参考过去的AM3和AM3+。AM5插槽有1718个引脚,但当前AM5处理器并没有启用全部的引脚,AM5+可能会发挥预留引脚的作用,引入更多的新功能,如USB4 v2.0。

AM5到AM5+的升级可能还包括支持更强的供电能力,更先进的电压控制技术,或者改进的散热扣具设计,这些都曾发生在AM3到AM3+的升级中。

未来6年硬盘容量将再翻数倍:
希捷近日表示已掌握多层HAMR热辅助磁记录技术,可在碟片的一面上实现两个不同的记录层,通过不同的磁场合温度分别记录不同数据,从而获得翻倍的容量提升。

此外,通过更精细化的磁记录介质,缩小颗粒体积,有望将存储密度从每平方英寸2.6Tbit提升到每平方英尺8Tbit。

在这些新技术的帮助下,希捷认为能够在2030年实现120TB的单盘容量。当然这并不是希捷第一次放卫星了,相关技术有可能会在未来实现量产,但时间点有可能比其宣称的晚很多。

SSD方面,铠侠在近期举办的应用物理学会议上讨论了1000层堆叠3D NAND闪存所面临的技术挑战和解决方案。铠侠当前最新的BiCS8闪存具有218层堆叠,铠侠计划在2031年实现1000层堆叠3D闪存的量产。更高的堆叠层数将带来更高存储密度,推动SSD容量不断增长和单位容量价格持续下降。

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