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硬件拆解
Solidigm成立于2021年底,名称由Solid-state(固态)和paradigm(范式)两个词组合而成,取树立固态存储行业范式之意,是当前唯一同时掌握Charge Trap电荷捕获结构和Floating Gate浮栅结构两种当代3D NAND技术的公司。相比去年评测时依旧带着英特尔标签的D7-P5520,这次我们收到的D5-P5430样品已经完全换上了Solidigm标签。 当然这个U.2外壳的结构还是一点没变,包括螺丝和卡扣设计还是过去那个已经被证明是非常合理的方式。 Solidigm D5-P5430使用了D5-P5520同款主控,这颗主控在洛斯阿拉莫斯国家实验室的中子源经过SDC(Silent Data Corruption静默数据损坏)测试。所谓静默数据损坏,就是未被ECC纠错机制捕获的、无法在第一时间被发现的错误,到数据需要使用时才被发现,即便有RAID阵列也不一定能修正。前几年就曾有国内云存储大厂因SDC丢失客户数据并招致巨额索赔。 静默数据损坏通常是偶发性事件,可由一些射线或环境影响引发比特翻转所产生。Solidigm的SDC测试通过将中子束聚焦在主控中心来进行,SSD内预先填充了数据,测试过程中主控连续发出I/O指令。实验室会检查数据完整性来确认有无静默数据损坏。Solidigm已经在数代产品中采用了这种测试程序,累计测试时间相当于超过600万年运行寿命,期间没有发现任何SDC错误,可见其对数据完整性的保护非常到位。 Solidigm第四代192层堆叠3D QLC闪存基于Float Gate浮栅结构,由位于大连的晶圆厂制造。Solidigm LOGO靠近颗粒边缘,正面是8颗编号为29F04P2BNCQL1的QLC闪存颗粒(4die 4CE),PCB背面另有8颗编号为29F08P2BOCQL1的QLC闪存颗粒(8die 8CE)。
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