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显存RAMOS | 铠侠展示新闪存技术

2023-5-8 12:16| 发布者: 绝对有料| 查看: 1444| 评论: 0|原作者: 绝对有料

摘要：在SSD尚未普及的时代，很多朋友都玩过RAMOS，把Windows系统装进内存。最近NTDEV疯狂了一把，成功把精简版的Windows 11装进了显卡的4GB显存中运行。原理上并不是很复杂，名为Tiny 11的精简版 ... ...

Windows 11装进显卡：
在SSD尚未普及的时代，很多朋友都玩过RAMOS，把Windows系统装进内存。最近NTDEV疯狂了一把，成功把精简版的Windows 11装进了显卡的4GB显存中运行。

原理上并不是很复杂，名为Tiny 11的精简版Windows 11只需占用非常少的系统资源即可运行。在搭载RTX 3050 4GB的笔记本上，NTDEV使用GPURamDrive划分3.5GB显存空间模拟出一个硬盘。

由于GPURamDrive还无法完整模拟底层硬盘读写，所以Hyper-V不能使用直接访问硬盘的模式，而是通过存放在显存虚拟硬盘上的VHD文件来启动Windows 11虚拟机。

说起来这个GPU虚拟盘的读写性能着实一般，各方面都比不上现在的主流级固态硬盘。或许狂牛版显卡是生错了时代，不然也能用这个法子开发出一些有趣的玩法来。

铠侠展示未来3D闪存技术：
在下个月举办的超大规模集成电路研讨会VLSI Symposium 2023上，铠侠将与西数一道，展示一系列3D NAND闪存新技术，包括计划在300+层堆叠3D闪存上采用的MILC金属诱导横向结晶技术、可将读取噪声降低40%并且不影响单元可靠性的硅材料杂质消除工艺。

铠侠还将发表一款关于高性能200+层3D闪存的论文，这款闪存将具备每平方毫米17Gb的存储密度和3200MT/s的IO接口，只需4个闪存通道就能实现当前PCIe 5.0旗舰级SSD的读写速度（~10GB/s）。它将使用8平面（而不是当前常见的4平面/6平面）设计，并引入混合行地址解码器（X-DEC）缓解布线拥塞问题。这款闪存将具备40μs读取延迟和205MB/s编程带宽，相比当代闪存有着明显的性能优势。