- 内容展现
- 最新评论
芯片荒愈演愈烈,ReRAM新用途
疫情已经进入第三年,芯片荒也依旧愈演愈烈。ASML首席执行官Peter Wennink近日表示,有大型工业公司甚至在购买洗衣机来从中获取它们需要的芯片。而ASML的光刻机产能也严重不足,仅能满足60%订单需 ... ...
芯片荒愈演愈烈: 疫情已经进入第三年,芯片荒也依旧愈演愈烈。ASML首席执行官Peter Wennink近日表示,有大型工业公司甚至在购买洗衣机来从中获取它们需要的芯片。而ASML的光刻机产能也严重不足,仅能满足60%订单需求。 ASML计划在今年出货55台EUV光刻机和大约240台DUV光刻机。目前ASML已经有超过500台DUV光刻机的积压订单,产品交货时间超过两年。 ASML的目标是在2025年将年产能增加到90台EUV 0.33NA光刻机、600台DUV光刻机,以及确保大约20个高NA(0.55NA)EUV光刻机产能。 ReRAM电阻式RAM新应用: ReRAM(电阻式RAM)和MRAM(磁阻式RAM)被认为是未来能够取代NAND闪存的下一代非易失性存储介质。很多玩家期盼着它能够引领未来SSD新技术革命。 ReRAM的功耗相比NAND低20倍、写入前无需擦除、读取延迟低100倍、写入速度快1000倍、使用寿命高1000倍,85度下可断电保存数据长达10年。ReRAM具有良好的可扩展性,能够像NAND闪存那样实现3D堆叠,并且未来有机会使用10nm以下节点制造。现在有很多厂商在研发ReRAM技术,但当前技术发展水平还不足以使它进入SSD应用。 CrossBar最近给ReRAM找到了一些新的应用方向:物联网嵌入式应用中的PUF物理不可克隆功能。 ReRAM只需要消耗很少功耗,并且存储任何内容的功率都是恒定的,因而可以对抗功耗分析。密集的金属布线使得ReRAM可以抵御光学攻击。不基于晶体管的ReRAM不受光子发射分析的影响。ReRAM的高单元密度限制了电磁分析的有效性。 CrossBar的ReRAM目前基于28nm工艺,它正在同Microsemi合作将其缩小到12nm节点,未来还具备10nm甚至更小的节点的潜力,拥有比NAND闪存更高的极限。有朝一日若NAND闪存发展陷入瓶颈,或许ReRAM仍有机会取而代之。 |
本文版权归 PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识 原作者所有 转载请注明出处
最新评论
热门评论
商家促销
团购试用
原创精华
论坛热帖
468关注
29参与
430关注
28参与
466关注
21参与
447关注
21参与
582关注
18参与
210关注
16参与
265关注
13参与
230关注
7参与
2446关注
7参与
75关注
6参与
精彩图文