Crucial英睿达P5 Plus 1T固态硬盘评测_第2页_PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识

Crucial英睿达P5 Plus 1T固态硬盘评测

2021-9-13 15:35| 发布者: Essence| 查看: 14458| 评论: 5|原作者: Essence

摘要： 176层是当前3D闪存堆叠层数的最高水平。通过Crucial英睿达P5 Plus，我们有机会体验到美光176层3D闪存的魅力。P5 Plus提供500GB、1000GB和2000GB三种容量选项，本次我们评测的是其1000GB版本。 ... ... ... ...

176层3D闪存介绍

美光176层3D闪存使用的是3D 替代栅极（RG）技术，而这个RG其实就是在Charge Trap电荷捕获结构和CuA（CMOS阵列下置）技术基础上开发而来。

176层是美光开发的第五代3D NAND闪存，同时也是第二代RG替代栅极结构3D闪存。相比最后一代采用FT浮栅结构的96层闪存，美光新闪存的堆叠层数增加40%、芯片尺寸减小30%、读写延迟降低35%、原始数据传输率提高33%（1200MT->1600MT）。

Tech Insight最近一年没有更新3D闪存路线图，上图为FMS 2020上发布。

RG替代栅级技术使用SiN氮化硅充当NAND存储单元的电荷捕获层，美光表示这种设计显著减少了传统NAND中限制性能的单元间电容耦合问题。

RG替代栅极技术还将NAND闪存的控制栅极从多晶硅改为金属，从而降低电阻并允许编程脉冲快速上升。由此带来的好处是闪存写入以及读取算法复杂性降低，从而带来最多2倍的性能提升。

另一方面，RG技术减少电路上的电场持续时间，可以减少在NAND上产生的应力，在提高电源效率的同时增加闪存耐用性。

虽然P5 Plus相比P5，在和保修相关的TBW耐久度指标上没有变化，不过从美光的介绍来看，新一代176层闪存应该能够为P5 Plus带来更长的使用寿命。

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