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比3D SLC更强的东芝XL-FLASH

2019-8-6 15:12| 发布者: 绝对有料| 查看: 5721| 评论: 5|原作者: 绝对有料

摘要：一年一度的FMS闪存峰会开幕在即，东芝存储正式宣布推出XL-FLASH低延迟闪存，瞄准DRAM内存与普通NAND闪存之间的空白。XL-FLASH并没有像英特尔/美光的3D XPoint那样直接跳出传统NAND闪存框架，而是在NAND结构的基础 .. ...

一年一度的FMS闪存峰会开幕在即，东芝存储正式宣布推出XL-FLASH低延迟闪存，瞄准DRAM内存与普通NAND闪存之间的空白。

XL-FLASH并没有像英特尔/美光的3D XPoint那样直接跳出传统NAND闪存框架，而是在NAND结构的基础上加以改进，成功将当前3D TLC闪存的读取延迟降低10倍。由于采用SLC结构，XL-FLASH的写入效能也将远高于目前常用的3D TLC闪存。

由于采用了成熟的NAND结构，XL-FLASH依然可以通过3D堆叠的形式来控制成本，兼具偏近内存的低延迟特性和断电后不丢失数据的特点，为数据中心以及企业级存储提供数据分层、内存扩展功能。

XL-FLASH并非简单的3D SLC，它还在结构上进行了革新。譬如采用4KB而非16KB作为Page页容量，获得更低读写延迟及随机效能；采用16-Plane而非常见的2-Plane结构，增强并发读写效能。

第一代东芝XL-FLASH将具备128Gb的单Die容量，并可采取2die、4die或8die封装以取得单个32GB、64GB或128GB的闪存颗粒。XL-FLASH的存储密度相比当代96层堆叠3D TLC低一半左右，但与国产长江存储32层堆叠3D TLC持平。

不同于英特尔/美光的3D XPoint以及三星的Z-NAND，东芝存储的XL-FLASH不会采取封闭生态，而是选择同时对外销售。这意味着其他存储厂商也可以推出采用XL-FLASH闪存的固态硬盘或是NVDIMM类产品。前不久Marvell推出的新一代PCIe 4.0主控88SS1321已经宣布了对XL-FLASH的率先支持。相信随着更多厂商的加入，傲腾类高端SSD的价格将更加亲民。

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