Intel和美光的闪存合资企业IMFT创建于2006年1月，主要生产NAND闪存，其首个制造工厂位于犹他州Lehi地区，目前Intel和美光的25nm工艺闪存主要是从这里和在新加坡今年刚投产的IMFS工厂制造。（IMFS主要负责亚太市场）

如图，IMFT生产的晶元，49%销售给Intel，另外51%则归美光。


IMFT 25nm生产厂位于犹他州一个背靠山脉的平地上

工厂结构图

操作间都是采用倒吸风式设计，以保证环境始终保持无尘净化间保持最高的微尘级别。

搬运和自动装载晶圆的Front Opening Unified Pod (FOUP)

在300mm采用25nm技术光刻出的NAND闪存芯片。25nm NAND闪存芯片使用沉浸式光刻技术，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)，支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s。

此图为IMFT内的光刻室

此图为晶圆光刻时做的掩模，明显大过晶元本身

图中正在监控光刻进程

光刻完成的300mm晶圆，虽然单晶圆上的NAND芯片数量一致，但是25nm技术让单位面积的容量翻了一倍

近看25nm制程NAND闪存芯片，单个长方形为2GB，单个Die是8GB

25nm制程闪存芯片体积大小

大家都知道，任何产品都会有等级分别，例如在之前PCEVA测试美光M4的时候就曾经说过美光不符合标准的颗粒正常情况下会送到SpecTek 部门里去做第二次分拣，而拿Intel的闪存颗粒来说，它的等级是如何划分的呢？不合格的颗粒去了哪里了？下面是我了解下来的Intel闪存颗粒等级分别：


从上面2张图里可以理解为：从Intel那里流出去封装的25nm晶元肯定都不是啥好货色（非原厂标的颗粒基本是1000 P/E 以下了）。

从这这张图里可以看到：不同等级的颗粒，不光P/E不同，连出错率也是不同的。（虽然ECC要求相同）

这张图则表示：尾号为ME1的25nm颗粒，P/E均为1000，其中生产日期为11年前的，因为晶元封装时内部电路引脚没有完全连接，只支持异步模式，而生产日期为11年后的，晶元封装时内部电路引脚完全连接，可以运行在同步模式。这也解释了我们之前说的SandForce主控有厂商强制开启同步模式的问题。金士顿的HyperX系列SSD有说采用ccMLC颗粒（前几日有网友在论坛爆料说看到内部是美光颗粒，不过未经证实），而OCZ早期的有部分Vertex 3也有采用ccMLC颗粒的（ME2尾号），这些P/E都是5000的，价格也偏高，属于优质MLC颗粒。而E3 MLC颗粒，是Intel新出的品质在ccMLC和普通MLC之间的P/E 3000次的颗粒，目前有听说在OCZ REVO 3产品线上使用，因为刚生产，所以用的还不多。