本帖最后由 neeyuese 于 2011-2-18 00:18 编辑
目前得到官方的说法如下：
标称容量 实际容量
OCZSSD2‐2VTXE60G 55 64
OCZSSD2‐2VTXE120G 118 128
OCZSSD2‐2VTX60G 60 64
OCZSSD2‐2VTX120G 120 128
红色带E的就是采用25nm 64Gbit Die的IM颗粒，购买时注意了，速度会受到影响。
官方的说法是内部价格34nm的价格会比25nm的价格贵25%，悲剧的是很可能你花相同的价格买了25nm的，这中间的差价被谁赚去了心里知道就好。
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事实到底咋样？没有那么简单，官方的说法一点不靠谱。因为当我拿到2个一样型号的SSD时，内部却是完全不同。
下面是拿到的2个OCZSSD2-2VTXE60G
内部却是完全不同的，很明显一个是老的，一个是新的，但是编号都是一样的。。
据我所知，如果你买到的固件是1.28，90%是25nm的，如果是1.27的，那就谁也说不清了，不管如何，插入电脑才搞得清楚。
老的PCB内部：
新的PCB内部：
从图中得知,老款型号采用的是32nm的HY MLC颗粒，单颗4G，16颗组成64GB容量。而新的采用25nm的Micron MLC颗粒，单颗8GB，8颗组成64GB容量。
（最初VERTEX 2采用的是34nm的Intel/Micron MLC颗粒，看来是为了省成本）。
最初的Vertex2 颗粒是34nm IM的。
很多人会问，为啥25nm的容量会少掉约4GB？为了这个问题还有网站冒出这类荒唐的解释： 25nm容量缩水
事实的真相到底如何？ 这个是因为SandForce主控制器内部的RAISE技术吃掉了一个Die的容量。
上图中HY的颗粒内部一个Die是4GB的，而25nm的Micron颗粒一个Die是8GB的，按照类似RAID 5的逻辑，1个是16个Die牺牲1个Die，一个是8个Die牺牲1个Die，所以造成了4GB的容量损失，如果换成别的主控制器就不会存在这个问题了，所以缩水的不是颗粒，而是RAISE的关系。
缩水的问题官方也给了说法：返厂免费换4GB Die的最新25nm颗粒，变成16颗组64GB的，那么容量就没问题了，至于性能就不清楚了（25nm本来就比34nm慢），在天朝购买的兄弟估计要悲剧点。。美帝这点优势还是有的。
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说了那么多，到底换成25nm的会带来多少的性能损失？
从图中看到60GB的写入（非压缩）速度跌到35MB/s，读取也跟着影响。而之前3xnm的时候应该是60MB/s左右的写入和200MB/s左右的读取。
25nm不但带来的性能的损失，更主要一点是需要更强的ECC能力，碰到问题的可能会更多，所以我个人不是很倾向于选择25nm的SF-1xxx方案，就算要买也要等到SF-2xxx。
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帖子之后，我透露下我的小发现：（新/老 Vertex2的包装区别）
这块是新版的
这块是老版的
新版采用了灰色塑料的底盖，老版采用金属底盖。 (可能这也是分辨工艺的方法）。
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很多人会说，为啥SF-1xxx 搭配MLC的型号写入GC态后跑ASSSD和CDM就是突破不了80~90MB/s，我新买回来时候有130MB/s~140MB/s的速度哦，即使Trim了之后速度还是回不到130~140MB/s。
这个问题要从SSD的工作原理来解释：
如图，当买回来一块新的SSD的时候，我们写入的数据是由主控任意的送往空白的NAND块的，而如果我们用完了系统的LBA容量和预留空间的容量后，情况就变化了。
接下来的写入操作都要同时执行垃圾回收的操作，那么这里假设SF-1xxx控制器搭配MLC颗粒对CDM/ASSSD测试的垃圾回收效率是80MB/s的话，答案就出来了，你的写入速度会被垃圾回收的速度给限制（瓶颈）。
很多人会说，那么闲置垃圾回收哪？ 道理是，闲置垃圾回收会增加写入放大，所以SandForce除了在限速模式下会做外，别的时候都不做闲置垃圾回收。
因此对SandForce来说，这个垃圾回收的瓶颈除非做整盘的HDD ERASE操作（清空），不然再也不可能恢复到新盘的130~140MB/s速度了。
而所谓的限速模式是在持续的写入这类数据后，造成预留空间里的数据完全随机（碎片），垃圾回收效率低下，主控不得不限制速度而形成的。
也就是说，对SandForce的算法来说，预留空间越大，速度越不容易被限速，即使限速了也恢复的更快，所以Vertex 2 100G速度恢复（限速恢复）比Vertex 2 120G快就是这个道理，预留空间多了20GB。
Trim的作用是告诉主控制器系统LBA里的这些数据占的地址你可以动，而不是很多人认为的“删除”操作，综上所述，Trim对SandForce来说，只是增快速度恢复（限速后的恢复），减少限速的可能，提升垃圾回收效率，增加耐久度的作用，而没有恢复到出厂性能的作用。 |
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