对N580GTX Lightning XE的测试，我刚好可以拿它老兄N480GTX Lightning，以及1.5GB显存的ASUS ENGTX580 DCII超到同频来做对比，另外对于N580GTX Lightning XE的过流保护对游戏性能到底是否有影响，我们也来比较一下。

第三栏是N580GTX Lightning XE的默认BIOS成绩。我们先来看与N480GTX Lightning的对比，N580GTX Lightning XE借着算法改进、流处理器规格补全以及频率提升，在同驱动下大约能领先GTX480有15%-20%，作为一个半代改进的产品而言，这个提升还是非常可 观的。

再看与华硕ENGTX580 DCII同频下的对比，3GB显存在1920x1080分辨率下优势并没有发挥出来，与1.5GB版本差距很小。但是对Tessellation应用比较 多的3DMark 11和Unigine Heaven测试中，我们看到3GB的显存发挥了一些优势。相信在更高的分辨率下，以及对于组建多屏显示的用户而言，3GB显存的优势会越来越明显。

最后来看N580GTX Lightning XE两个BIOS的对比，我们看到过流保护对游戏性能并无太大影响，并且在默认的BIOS下大多数测试成绩还要好过解开了过流保护的BIOS，看来LN2 的BIOS就是为LN2上高频准备的，在显存时序等细节上会有所调整，以便上更高的频率。

从功耗对比来看，在3DMark Vantage第一场景人物落水瞬间得到功耗峰值，大家误差都很小，但是Furmark烤机就有差距了。其中N580GTX Lightning XE默认的BIOS由于过流保护限制，Furmark功耗甚至还小于3DMark Vantage，解开过流保护之后，N580GTX Lightning XE的功耗要小于N480GTX Lightning，看来GF110核心的改进在功耗上还是有所体现的。另外，华硕的ENGTX580 DCII由于默电较高（1.063V），功耗也相应地高出20多W。