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Intel Z87平台内存调试心得

2013-7-24 16:08| 发布者: royalk| 查看: 111809| 评论: 131|原作者: royalk

摘要： Haswell平台已经发布有快两个月了，虽然高发热、性能提升小、价格高，加上芯片组有bug等问题让大家对HSW大失所望，很多用户选择观望，但我不得不说HSW有一个很大的提升就是内存超频能力。 ... ...

三星Rev.D（30nm）：单条4GB跑效能首选

三星30nm颗粒在前段时间被热炒过无数次，从最开始的金条到后来的黑条，商家使用各种包超手段来吸引消费者。但是如今金条已经停产，黑条体质越来越差，好的三星颗粒都被超频内存模组厂例如海盗船、芝奇、Team、金士顿等拿去做高端型号了，我们看到很多标称DDR3-2666 CL10的高端内存，它们实际上都是采用三星颗粒。

三星Rev.D颗粒（30nm）的识别特征：第二行编号为K4B2G0846D，右上角有可能是HCH9、HYK0、HCK0，都无所谓，标称的速度不同而已。有些人说这些标称不同会导致超频能力表现有所不同，有一定道理，毕竟标的高的颗粒可能是经过筛选比较好的，但这也只是超频实战得到的结果，却没有官方的直接证据。

普通的三星颗粒体质差异是比较大的，许多用户只知道走2133 9-10-10 1.5V的便当时序，但是，体质好的三星颗粒，其实有很大的潜力可挖掘。在HSW平台上，我们推荐使用如下设定：
DDR3-2133 9-10-10-24 1.45-1.55V
DDR3-2400 10-11-11-24 1.5-1.6V
DDR3-2400 9-11-11-24 1.65-1.7V
DDR3-2666 10-12-12-28 1.65-1.7V
DDR3-2800 10-12-12-28 1.7-1.8V
DDR3-2800 11-13-13-28 1.65-1.7V

我们看到三星颗粒的推荐设置非常多，可玩性还是很多的，在HSW上如果你还继续便当2133那就太埋没三星颗粒的实力了。下面看风冷状态下优化到极致效能的BIOS设置。首先是DDR3-2800，第一时序设为10-12-12-18，三星颗粒tRAS设低之后SuperPI的成绩会提升，如果你的三星颗粒体质比较好，而且你舍得加电压，加压到2V左右甚至可以走2800CL9。第二时序，tRRD和tRTP可设为3，tWCL设为7，tFAW设为16，tRFC设为120。

第三时序，跟Hynix CFR差不多，tWRRD可设为18，tWRRD_dr/dd设为3效能会最佳。

超频到DDR3-2933，保持CL10不变，tRCD和tRP从12放到13，如果体质好可保持12，tRAS放到21，体质好可保持18。其他均可保持2800时的设定。

第三时序，可保持DDR3-2800时的设定。

按上边BIOS设定优化第二时序之后，SuperPI 32M跑到6分47秒655，超过PSC颗粒的表现。

进一步提升频率到DDR3-2933，虽然第一时序有所放宽，但SuperPI 32M成绩还略微有所提升，达到6分47秒593。

小结：三星Rev.D颗粒效能无疑是单条4G颗粒中的冠军，虽然时序表现不像PSC那么惊艳，但凭借着高频在风冷下能表现出很高的效能。当然，在液氮下，BBSE和PSC可以跑到2666 CL5、CL6这样很变态的时序，又会超越三星重新拿回头把交椅。不过，三星rev.D颗粒四条一起插的时候对体质要求很高，如果有一条体质不好，那么超频能力将会大打折扣。另外，目前市场上三星颗粒体质参差不齐、高端内存天价的状况，也在阻碍玩家选择产品。

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