浦科特M5S 128G/256G评测
2012-6-29 13:35
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发布者:
心即空|
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|原作者: neeyuese
摘要：
自台北电脑展曝光以来，浦科特SSD的新系列M5S就受到了相当的关注，今天PCEVA收到了128及256G的M5S产品，现在就为大家带来M5S这2款SSD的初步评测
PX-128M5S与PX-256M5S拆解
进行拆解后，相比前辈M2P/M3系列最显著的分别就是因为采用了满负载时发热较低的美光闪存颗粒，所以除了主控位置外，闪存颗粒及DRAM上都没有使用导热帖，因为采用了不同的颗粒，PCB布局也有所改变，主控从背面改为正面了，而其它方面则与前辈们保持一致。
首先看128G的M5S，PCB正面采用了8颗16GB的美光MLC闪存颗粒组成共128GB的容量。
主控依然为Marvell 88SS9174，B1步进，2012年第7周生产。
128G的M5S只采用了1颗南亚的DRAM颗粒作为缓存，Part Number为NT5CB128M16BP-CG，速度为DDR3-1333 CL9。南亚官方网站显示它的Density为128Mbx16=2Gb，也就是256Mbytes，所以它是单颗256MB的颗粒。
闪存颗粒特写，Part Number为29F128G08CFAAB，为美光25nm工艺的L74A系列产品，图中这个型号单个Die为8GB的容量，每个颗粒封装内有2个Die，采用8KB的Page，256个Page组成1个Block，2个plane一个Die。完全写入/擦除周期（P /E）为3000次，支持ONFI 2.2标准，从下方-12可以看出，此颗粒在同步模式下最大可以提供每通道166MB/s的接口速率（12ns DDR）。左下角WP的意思为48针TSOP封装，右下角的A代表第一版。
把128GB的M5S反过来，可以想象由于正面的颗粒容量已经128GB了，所以反面颗粒位置没有东西，只有边上的一部分供电电路。
再来看256G的M5S，PCB正面采用了8颗16GB的美光MLC闪存颗粒。
把256GB的M5S反过来，可以看到另外8颗16GB的美光MLC闪存颗粒，组成了256GB的容量。
缓存颗粒变成2颗南亚的DRAM，Part Number一样为NT5CB128M16BP-CG，速度为DDR3-1333 CL9，2颗组成了总共512MB的容量。
主控和128GB的一样为Marvell 88SS9174，B1步进，2012年第7周生产。
闪存颗粒特写，也是和128GB的M5S一样，Part Number为29F128G08CFAAB，为美光25nm工艺的L74A系列产品，图中这个型号单个Die为8GB的容量，每个颗粒封装内有2个Die，采用8KB的Page，256个Page组成1个Block，2个plane一个Die。完全写入/擦除周期（P /E）为3000次，支持ONFI 2.2标准，从下方-12可以看出，此颗粒在同步模式下最大可以提供每通道166MB/s的接口速率（12ns DDR）。左下角WP的意思为48针TSOP封装，右下角的A代表第一版。
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