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兼顾高性能和高性价比:忆芯STAR1200L主控方案评测
北京忆芯科技是国内领先的高端PCIe SSD主控芯片和成品盘供应商,核心成员具有多年研发经验和多项研发成果,拥有从底层算法到芯片设计,再到解决方案设计等多方面的丰富经验。当前北京忆芯的业务方向已覆盖消费级和企 ...
前言和拆解
在NVMe协议HMB主机内存缓冲功能的助力之下,无DRAM缓存方案逐渐成为高性价比NVMe固态硬盘的主流选择。北京忆芯在STAR1000T-L主控基础上开发的高性能低功耗NVMe消费级解决方案:STAR1200L。本次测试的忆芯S1200LXT0就采用了STAR1200L方案,搭配长江存储第二代NAND闪存,无DRAM缓存设计,主要面向消费级以及OEM市场。 忆芯研发的PCIe SSD主控中使用的是ARC架构,不同于常见SSD主控所用的ARM架构,据了解,这也是世界上第一款用于主控芯片的ARC架构处理器,为本次评测增添了很多期待。此外,STAR1200L还使用了当前DRAMLess无缓存SSD中颇为少见的8通道设计,可以实现更高的读写速度。在取消DRAM缓存后,S1200LXT0可在单面PCB上布置4颗NAND闪存颗粒,满足在超薄笔记本电脑中安装的需求。 长江存储第二代NAND闪存采用Xtacking技术,3D TLC类型,堆叠层数64层,I/O接口速度800MT/s,配合8通道的STAR 1000T-L主控可以提供3.5GB/s左右的数据传输带宽。 这次测试的S1200LXT0 1TB标称顺序读写速度为3500/3000 MB/s,4K随机读写性能535K/320K IOPS,耐久度指标为600TBW。 |
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