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锐龙迎来5岁生日、三星EUV技术DDR5
2021-10-13 09:49| 发布者: 绝对有料| 查看: 5678| 评论: 0|原作者: 绝对有料
摘要: 很多玩家都说,如果不是锐龙,我们很可能还在用四核处理器。不知不觉当中,AMD锐龙问世已有5年!初代Ryzen 7 1800X用8核心16线程将HEDT性能带入到主流台式机市场,线程撕裂者更是逼得英特尔最终停掉了酷 ... ...
锐龙5岁了!
很多玩家都说,如果不是锐龙,我们很可能还在用四核处理器。不知不觉当中,AMD锐龙问世已有5年!初代Ryzen 7 1800X用8核心16线程将HEDT性能带入到主流台式机市场,线程撕裂者更是逼得英特尔最终停掉了酷睿X产品线。

锐龙的发展极大带动了PC性能飞跃式提升。北京时间10月12日晚上10点,AMD官网上线了5 Years of Ryzen页面,AMD 首席营销官 John Taylor 和技术营销总监 Robert Hallock在视频中介绍了AMD在性能、封装和效率方面的改进。

同时也带来了新产品的消息:带有3D V-Cache的锐龙处理器将在2022年初上市。AM5接口下的ZEN4架构新平台则将在2022年晚些时候问世。

对于ZEN4之后的展望,Taylor和Hallock讨论了在经典ZEN CPU内核之外增加固定功能硬件(人工智能/机器学习加速器)的可能。

AMD还谈到了将在明年初问世的新一代移动处理器,它将在功耗、散热和电池续航方面有很大的进步。AMD正在研究更多的P-States,使更多的CPU/GPU核心能够在空闲时被关闭,并使Uncore部分更加高效。

14nm EUV技术DDR5内存:
三星刚刚宣布在14nm EUV工艺节点上成功量产24Gb DDR5内存芯片。相比常规的16Gb产品,新工艺可将DDR5内存条的容量从512GB/1TB扩展至768GB和1.5TB。

继去年3月出货业界首款采用EUV极紫外光刻技术的DRAM之后,三星现在将EUV层数增加到5层,在实现更高位密度的同时,将整体闪存生产率提高了约20%。同上一代DRAM节点相比,14nm工艺可将功耗降低近20%。

结合ASML的路线图来看,三星目前处于下图中的1a节点,未来DRAM内存制造中将使用更多的EUV层,并在2026年到2030年间引入高NA EUV光刻。

和逻辑芯片以及DRAM内存不同的是,3D NAND闪存在可以预见的未来并不需要使用EUV光刻工艺,但堆叠层数会不断增长,预计到2030年实现500层以上堆叠。

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