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英特尔更新固件无需重启、铠侠新产品

2021-9-16 10:47| 发布者: 绝对有料| 查看: 6154| 评论: 2|原作者: 绝对有料

摘要：平时我们连Windows更新系统补丁都要重启电脑，更别说刷新BIOS（UEFI固件）了。据phoronix报道，英特尔正在研发一项名为无缝更新的新技术，相关的Linux内核补丁已经部分公开。在无缝更新的帮 ... ...

英特尔无缝更新技术：
平时我们连Windows更新系统补丁都要重启电脑，更别说刷新BIOS（UEFI固件）了。据phoronix报道，英特尔正在研发一项名为无缝更新的新技术，相关的Linux内核补丁已经部分公开。

在无缝更新的帮助下，更新系统固件（如UEFI固件）无需再重新启动计算机。这项技术当前的目标是针对那些对SLA有极高需求的服务器平台，无需重新启动意味着可以减少停机和服务中断时间。据推测，这项技术可能会随Sapphire Rapids至强处理器一同推出。

铠侠新闪存和新固态硬盘：
在深圳举办的中国闪存峰会（CFMS）上，铠侠通过主题演讲介绍了BiCS6闪存以及未来一段时间铠侠将导入的新技术。

第六代BiCS闪存采用162层堆叠技术，首次引入CuA技术，即将CMOS电路布置在存储阵列的下方。该设计最早出现于美光64层堆叠3D闪存当中，采用该技术可以缩小芯片面积，从而在每片晶圆中产出更多的芯片。下图是美光32层堆叠和64层堆叠3D闪存（CUA）的对比，32层闪存中左侧部分就是尚未置于存储阵列下方的CMOS电路。

CUA技术有很多表述方式，比如SK Hynix提出的PUC（Periphery Under Cell）、三星提出的COP（Cell Over Peri）。长江存储则是将CMOS电路放到了存储单元的上方，并且CMOS电路和存储单元是分别制造后再行整合。

铠侠后续会在未来闪存产品中引入CBA结构，其实就类似于长江存储已经在Xtacking中实现的内容：存储阵列和周边电路分别生产，然后晶圆键合在一起。

此外铠侠还提到了PLC（每单元5比特）和Twin BiCS（闪存单元一分为二）等尚在开发中的新技术，这些技术的产品化还需要一些时间。

固态硬盘方面，铠侠宣布了面向SCM存储内存应用的FL6系列，支持PCIe 4.0 x4接口，容量从800GB到3.2TB不等，耐久度指标高达60 DWPD，即每天可写入60倍于全盘容量的数据。

FL6企业级固态硬盘使用了铠侠研发的XL-Flash超低延迟闪存，该闪存基于3D SLC，并进行了大量优化，具备更低的存取延迟和更高的写入寿命。XL-Flash除了铠侠自用之外，还会提供给第三方主控厂商，所以除了FL6之外，未来我们或许还有机会看到更多采用XL-Flash的固态硬盘。

很多人将XL-Flash同英特尔的3D XPoint进行比较，实际上二者并不完全一样。XL-Flash跟三星的Z-NAND相似，本质上依然属于NAND闪存。而英特尔傲腾使用的3D XPoint闪存能够支持NAND闪存所不具备的字节寻址能力，能够做到NAND闪存无法实现的直接覆盖写入。3D XPoint要比XL-Flash更像内存一些。

最后，铠侠还宣布了PCIe 5.0固态硬盘的计划：首个产品CD7将于今年第四季度问世。不过英特尔第12代酷睿是用不了的：CD7定位企业级，E3.S接口足以将所有消费级平台拒之门外。当然未来或许会有转接卡提供这种可能，就像U.2到PCIe x4的转换那样。

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