【视频】QLC固态也能跑PCIE3.0x4满速英特尔 670p SSD 深度评测

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2021-6-1 10:35| 发布者: 绝对有料| 查看: 8454| 评论: 7|原作者: 绝对有料

摘要：之前有个观点说固态硬盘是倒退式发展，我对此完全不赞同。从2016年推出的TLC 32层开始，堆叠层数大致是每2年翻倍一次，甜品级固态硬盘的容量也从256GB增长到现在的2TB。NAND闪存现在堆叠层数是英特尔的144层，让670p ...

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以下为文字简略版本：

之前有个观点说固态硬盘是倒退式发展，我对此完全不赞同。这要从摩尔定律角度来看，摩尔定律不只是针对计算芯片，对存储芯片也是成立的。

几年前，NAND闪存的制造工艺发展到15nm，遇到了存储单元漏电和数据出错的困扰，没办法做到更小。所以闪存就转换了思路，发展出3D堆叠技术，通过垂直方向的发展来降低串扰，并维持存储容量的可持续增长，从2016年推出的TLC 32层开始，堆叠层数大致是每2年翻倍一次，甜品级固态硬盘的容量也从256GB增长到现在的2TB。这也基本符合摩尔定律。

NAND闪存现在堆叠的最新数据是144层，是由英特尔率先实现的。144层的结构由三个48层堆叠，再叠加起来，正好是144层。每个堆栈都可以作为SLC或QLC来使用，可以单独进行擦除而不影响其他位置的数据，这样就提高了垃圾回收的效率，同时也改善了QoS服务质量。

并且英特尔还在四平面设计中采用了两个分离的平面组，它们可以异步操作，读取闪存的不同位置。

这个就是目前已经上市的固态硬盘当中，闪存堆叠层数最高的型号：Intel 670p。我们都知道，最早发售QLC固态的就是英特尔，之前推出过660p（64层QLC）、665p（96层QLC）。那么经过两次迭代后，144层的670p理应有更好的表现。

撕开它的标签，看一下全球首个144层3D堆叠闪存的真身。

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