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美光DDR5内存和128层闪存规划

2020-3-27 15:50| 发布者: 绝对有料| 查看: 4856| 评论: 5|原作者: 绝对有料

摘要：美光刚刚发布了第二季度财报，我们可以从中了解到这家存储巨头的产品计划，包括DDR5内存和128层堆叠3D NAND闪存的生产计划。DRAM内存将持续向更新更精细的制造工艺转换，预计到2020年夏季，使用1Y和1Z工艺的DRAM ... ...

美光刚刚发布了第二季度财报，我们可以从中了解到这家存储巨头的产品计划，包括DDR5内存和128层堆叠3D NAND闪存的生产计划。

DRAM内存将持续向更新更精细的制造工艺转换，预计到2020年夏季，使用1Y和1Z工艺的DRAM芯片占到制造总量的一半以上。目前美光已经使用1z工艺实现了DDR5内存的采样工作。

相比当代DDR4内存，DDR5的优势在于更高的传输带宽，按照美光的数据，在同等频率下DDR5可以提供1.36倍的带宽，DDR5-4800的带宽则是DDR4-3200的1.87倍。

在CPU核心数量很多的服务器平台上，DDR5内存可以为平台提供充裕的存取带宽。不过截至目前英特尔和AMD都尚未推出支持DDR5内存的硬件平台，所以DDR5内存的批量生产为时尚早。家用电脑要用上DDR5内存估计不会早于2022年。

适用于移动平台的LPDDR5内存则已迎来首个客户，近期上市的小米10手机使用了来自美光的LPDDR5内存。

闪存部分，美光现在是3D XPoint黑科技闪存的唯一制造商，英特尔则是美光该产品的唯一客户。使用3D XPoint闪存的英特尔傲腾固态硬盘是当前最快的SSD之一。

美光还宣布将在晚些时候开始量产128层堆叠的第四代3D NAND闪存，并在6月到8月间开始交付。这是美光在同英特尔分家后独自推出的首款3D闪存，从过去的FG浮栅结构切换为使用更广泛的CT电荷捕获结构。同当代96层堆叠产品相比，第四代128层堆叠3D闪存将写入带宽提高30%、每比特功耗降低40%。

尽管受到冠状病毒的影响，业界消息人士依然预期DRAM和NAND闪存合约价格将在第二季度达到两位数的增长。在经历惨淡的2019年后，存储原厂终于能够喘口气了。不过对于消费者而言，内存和固态硬盘产品不可避免地会涨价。

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