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瞄准5G应用:首个UFS3.1闪存已问世
几周前JEDEC宣布了UFS3.1标准,针对高性能、低功耗移动应用提供一系列增强特性。昨日西数抢先发布全球首个UFS3.1闪存芯片iNAND EU521,瞄准5G智能手机,提供128GB和256GB两种容量。根据西数的调研结果,UFS3.0以 ... ...
几周前JEDEC宣布了UFS3.1标准,针对高性能、低功耗移动应用提供一系列增强特性。昨日西数抢先发布全球首个UFS3.1闪存芯片iNAND EU521,瞄准5G智能手机,提供128GB和256GB两种容量。 根据西数的调研结果,UFS3.0以上规格才能实现5G时代所需数据吞吐量。UFS3.1标准在UFS3.0标准之上增加了写入加速(SLC Cache)、深度睡眠(增强节能)和性能限制通知(让CPU了解UFS闪存当前是否处于过热状态)三种新特性。 在UFS闪存芯片中使用模拟SLC缓存提升写入效能的方法已经得到广泛应用,UFS3.1实现了写入加速的标准化。iNAND EU512使用了西数与铠侠合作研发的96层BiCS4闪存,SLC Turbo缓存内的顺序写入速度为800MB/s。 |
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