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SK海力士明年量产1z nm 16Gb内存
2019-10-22 13:32| 发布者: 绝对有料| 查看: 5414| 评论: 0|原作者: 绝对有料
摘要: 韩国芯片制造商SK海力士刚刚宣布完成对下一代1z nm工艺内存的研发,生产率提高约27%,功耗降低40%。采用新工艺的16Gb DRAM内存芯片将从2020年起投入批量生产,单条32GB内存将更加普及。前不久PCEVA曾报道过三星停 .. ...
韩国芯片制造商SK海力士刚刚宣布完成对下一代1z nm工艺内存的研发,生产率提高约27%,功耗降低40%。采用新工艺的16Gb DRAM内存芯片将从2020年起投入批量生产,单条32GB内存将更加普及。


前不久PCEVA曾报道过三星停产B die,并用1z nm工艺的A Die全面取而代之的消息。那么1z nm到底是多少纳米?为什么SK海力士在新闻稿中特别说明1z nm工艺不会使用EUV极紫外光刻,难道技术不是越先进越好吗?


1x/1y/1z是指内存进入10~20nm阶段后发展出的三代工艺,并没有明确的纳米数据。一般认为1x阶段是18nm到19nm,1y可能覆盖14nm到16nm,而新一代1z则可能对应12nm至14nm。由于半导体制程微缩陷入瓶颈,新工艺的成本居高不下,追逐性能的芯片(CPU、GPU)会优先使用最新的工艺节点,而DRAM内存则必须考虑到成本的问题。


相比当前使用193nm波长深紫外光的当代DUV工艺,新的EUV极紫外光使用13.5nm波长的激光。EUV光刻机的单台价格超过1亿美元。


光刻机购置成本的增长只是其中一方面,EUV的广泛应用目前还面临很多技术和成本障碍,生产效率难以提升。所以半导体制造商现阶段都在尽可能地避免使用EUV,或者只在关键步骤使用EUV光刻。


目前三星、美光和SK海力士三家主要DRAM内存制造商的1z nm工艺中都没有使用到EUV光刻。相信随着未来技术的发展,更加先进的EUV光刻会有具备综合成本优势的那一天。

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