建兴T10 Plus固态硬盘评测_PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识

建兴T10 Plus固态硬盘评测

2019-5-22 12:10| 发布者: Essence| 查看: 16863| 评论: 14|原作者: Essence

摘要：长江存储的快速成长，给了国人支持国货存储的期待。而国产固态硬盘主控芯片的发展同样令人欣喜，这其中就包括了Starblaze忆芯。最近我们有机会测试了一款采用忆芯主控的固态硬盘——建兴睿速T10 Plus。PCEVA这次 ... ...

前言与拆解

长江存储的快速成长，给了国人支持国货存储的期待。而国产固态硬盘主控芯片的发展同样令人欣喜，这其中就包括了Starblaze忆芯。最近我们有机会测试了一款采用忆芯主控的固态硬盘——建兴睿速T10 Plus。

PCEVA这次拿到了256GB和512GB两颗测试样品，下图是256GB外观：

容量较大的512GB产品使用了双面PCB布局：

建兴T10 Plus的主控源自北京忆芯科技（Starblaze）,而忆芯又与研发企业级固态硬盘技术的忆恒创源（Memblaze）有着千丝万缕的关系。所以从一开始，STAR1000主控就具备了一个较高的起点，并且具有自主知识产权。

拆解部分：

建兴T10 Plus的散热片使用单侧限位设计，只要从没有限位的一侧轻轻用力就能去除。主控通过导热贴与散热片接触并传导热量。

STAR1000主控使用PCIe 3.0 x4接口，具备8个闪存通道。256GB的建兴T10 Plus配备了一颗南亚LPDDR3缓存，容量512MB。存储固件的华邦NOR闪存位于南亚缓存旁边，容量2MB。

256GB的T10 Plus使用了两颗东芝BiCS3原片闪存，编号TH58TFT0T23BADE，64层堆叠3D TLC类型，单die容量256Gb、4stack封装，每颗容量128GB。

512GB使用的颗粒与256GB型号相同，只是数量多出一倍，分布在PCB的两面。DRAM缓存也变为三星DDR4，PCB正反面各有一颗，每颗容量512MB，共计1GB。

512GB型号中存储固件的NOR闪存位于PCB背面，DRAM缓存旁边靠近M.2接口一侧。

STAR1000可支持ONFi4.0/Toggle 3.0闪存接口，最高支持800MT/s数据传输率。目前与主控搭配的东芝BiCS3闪存实际使用了667MT/s的Toggle 2.0接口，Toggle 3.0则需要更新的96层堆叠BiCS4闪存才能支持。

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