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128层3D堆叠闪存大比拼
2019-3-21 09:50| 发布者: 绝对有料| 查看: 8803| 评论: 5|原作者: 绝对有料
摘要: 东芝在1987年发明了NAND闪存,时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘,96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。尽管128层堆叠目前还停留在研 ... ...
东芝在1987年发明了NAND闪存,时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘,96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。


尽管128层堆叠目前还停留在研发层面上,通过前不久的ISSCC(IEEE国际固态电路峰会)我们能够找到一些有关未来闪存技术的发展方向。


在3D闪存的发展历史上,东芝宣称自己是最早提出3D堆叠闪存技术的公司(2007年),不过最早将3D闪存带入大规模应用的则是三星(2013年,24层堆叠)。目前三星已经披露了第六代V-NAND的计划,预计采用11X层(110~120)堆叠。

与之对应的是东芝BiCS5,预计采用128层堆叠,二者都有TLC和QLC两种类型。下图是东芝在ISSCC上公开的BiCS5 3D TLC闪存关键参数,值得注意的是它同样采用4平面设计,写入速度较三星更高。


对比双方公开的参数信息可以发现,东芝BiCS5在存储密度和写入速度上拥有显著优势,而三星V-NAND V6则凭借更新的Toggle 4.0闪存接口取得了读取延迟方面的领先。(PCEVA小编注:Toggle是由东芝和三星在2010年共同提出的闪存接口规范,影响闪存芯片与固态硬盘主控之间的通信速度)


除了性能之外,成本控制同样是3D闪存技术优越性的一个体现。毕竟3D闪存的问世主要就是为了解决半导体制程微缩瓶颈,助力闪存存储密度不断上升、每GB价格不断下降。


通过单Die容量与面积计算的结果来看,东芝BiCS闪存在存储密度上的优势明显。不过这能否能最终转化为制造成本上的领先,还要受到其他诸多因素的共同影响。


以下是通过公开渠道收集到的各闪存原厂最新3D闪存技术规格,国产还需继续努力提升自身竞争力,发展技术创造成本优势,先渡过眼前闪存价格不断下降的寒冬。

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最新评论

引用 Atom 2019-3-21 16:51
Toggle 4.0接口的三星V6写入速度咋还慢了
引用 ljz6600 2019-3-21 21:37
没有比长江存储 有更好技术的 国产厂了吗?
引用 atmosphere 2019-3-22 01:28
ljz6600 发表于 2019-3-21 21:37
没有比长江存储 有更好技术的 国产厂了吗?

兆易创新?不知道这两家哪家雕一点
引用 FlankerWang 2019-3-22 10:29
本帖最后由 FlankerWang 于 2019-3-22 10:32 编辑
Atom 发表于 2019-3-21 16:51
Toggle 4.0接口的三星V6写入速度咋还慢了

三星的11x层实现方式不清楚,东芝/西数用了4平面之后写入速度直接翻倍
http://bbs.pceva.com.cn/thread-144895-1-1.html
http://img.pceva.com.cn/attachme ... 4fzm9cc4cu3ggrb.jpg
引用 暴力SSD 2019-3-22 20:40
国产,没个七八年跟不上来

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