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AMD正研发3D堆叠DRAM/SRAM
去年英特尔在其架构日活动上宣布了Foveros 3D芯片堆叠技术,AMD近日在高性能计算活动中透露了自家的3D堆叠DRAM/SRAM,新技术和架构改进将提升处理器的性能,超越摩尔定律。对于摩尔定律,I/A两家显然都明白,制程 .. ...
去年英特尔在其架构日活动上宣布了Foveros 3D芯片堆叠技术,AMD近日在高性能计算活动中透露了自家的3D堆叠DRAM/SRAM,新技术和架构改进将提升处理器的性能,超越摩尔定律。 对于摩尔定律,I/A两家显然都明白,制程微缩前路坎坷且收益变少。新工艺节点无法带来更高的CPU频率,在一些节点甚至会出现倒退(英特尔Broadwell与CannonLake或许就是例子,新制程的第一代产品重点发展了低功耗同时也是低主频的产品)。 目前AMD已经领先Intel一步来到了7nm工艺节点,但双方都明白制程微缩的速度已经严重放缓。 除了性能提振乏力之外,新工艺增加晶体管密度的作用也逐渐达到极限。像AMD Threadripper这样的多核心处理器封装尺寸已经比较庞大,容易遇到更多的空间限制。 AMD正努力转向3D架构以提升性能密度,新的堆叠内存架构是近期的重要一步。现在AMD将HBM2内存堆叠在GPU旁边,让它与GPU处于同一个封装内,未来的发展目标则是真正的3D堆叠。 AMD高级副总裁Norrod解释说:AMD正致力于在计算组件(CPU或GPU)上方直接堆叠SRAM和DRAM内存,以提供更高的带宽和性能。AMD正朝着这个方向努力,不过就目前来说还没有更多的细节可以向公众透露。 |
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