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三星公开下一代SSD技术与型号
在美国圣何塞举办的三星技术日活动上,三星公开分享了固态硬盘技术路线图,除了96层堆叠3D TLC闪存之外,QLC闪存也被提上了日程。此外,一大批新型号固态硬盘名称得到确认。同其他几家闪存 ... ...
在美国圣何塞举办的三星技术日活动上,三星公开分享了固态硬盘技术路线图,除了96层堆叠3D TLC闪存之外,QLC闪存也被提上了日程。此外,一大批新型号固态硬盘名称得到确认。 TLC闪存更新96层堆叠 同其他几家闪存原厂一样,三星正在推动96层堆叠技术在3D闪存当中的应用。被称为第五代V-NAND的三星96层堆叠TLC闪存的容量相比现在的64层技术没有增长,但是芯片体积缩小,工作电压降低,带来成本与功耗方面的进步。 更新96层3D TLC闪存后的三星固态硬盘型号将发生小小的变化,比如现在的PM981和970Evo变为PM981a和970Evo Plus。 单芯片BGA封装、无外置缓存的NVMe固态硬盘PM971a将被PM991取代,顺序和随机写入性能提升1倍、顺序读取速度提高50%(约2200MB/s,相比PM981要慢)。 高端企业级产品方面,闪存之外的主控芯片也将得到升级,三星PM1733在PCIe 4.0下顺序读取速度最高可达8GB/s。目前PCIe 4.0在家用PC领域还没有眉目,所以大家也只能靠想象了。 QLC闪存引入新系列 三星企业与OEM固态硬盘使用MLC闪存的型号以SM开头,使用TLC闪存的型号以PM开头,未来QLC闪存固态硬盘当中将以“BM”开头。首批宣布的QLC闪存固态硬盘包含四个型号:BM1733、BM9A3、BM1653(SAS)和BM991(OEM NVMe)。 零售消费级产品方面,三星公开了860QVO(SATA)和980QVO(NVMe)两个QLC闪存型号,对应现在TLC闪存的860EVO和970EVO。三星尚未公开具体的性能指标,PCEVA认为EVO和QVO系列应该会在一段时间内共存,形成高低搭配的形态。 至于MLC闪存的970Pro,它可能不会有继任者了:三星企业级Z-NAND闪存已经准备推出MLC类型。大家有没有感觉到TLC已经高端化了?好消息是QLC闪存应该能在明年推动512GB固态硬盘的普及。 |
本文版权归 PCEVA,PC绝对领域,探寻真正的电脑知识 原作者所有 转载请注明出处
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最新评论
- 引用 dosmatters
- 期待512G更加便宜些
- 引用 atmosphere
- QLC速度如何呢。。。不会跑完缓存不如U盘吧
- 引用 绝对有料
atmosphere 发表于 2018-10-21 11:49
QLC速度如何呢。。。不会跑完缓存不如U盘吧
Intel 660p 512G吃完缓存后顺序写入速度100MB/s的样子,看你跟什么样的U盘做对比了。
不出意外的话,后边所有QLC固态硬盘都会跟Intel 660p一样用上全盘SLC,尽量不让用户在一次性爆发写入过程中把SLC用光。但全盘SLC模式下要是盘用的比较满的话性能就不好说了。
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