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海力士中国建厂 三星量产96层闪存
2018-7-11 00:37| 发布者: 绝对有料| 查看: 2071| 评论: 6|原作者: 绝对有料
摘要: 在美光遭到国内制裁的同时,另外两大内存制造巨头三星和海力士受到更多关注。SK Hynix去年在中国设立了海力士系统集成电路有限公司,专注于代工业务。据韩国Bizwire报道,Hynix已决定将其位于韩国清州M8工厂的老化20 ...
在美光遭到国内制裁的同时,另外两大内存制造巨头三星和海力士受到更多关注。SK Hynix去年在中国设立了海力士系统集成电路有限公司,专注于代工业务。据韩国Bizwire报道,Hynix已决定将其位于韩国清州M8工厂的老化200毫米晶圆生产线搬迁到中国继续使用。


200毫米晶圆(8寸)在当前属于较为落后的技术水平,但自去年以来,全球200毫米晶圆厂产能就一直存在短缺。尽管不涉及300mm(12寸)工艺生产的尖端芯片,但200毫米产能可以满足无晶圆厂设计公司的需求:对于大量在老旧200毫米成熟节点上制造的元器件,比如模拟器件、通信IC和传感器,200毫米尽管落后但依然有市场需求。

虽然内存和闪存给SK Hynix带来了丰厚的利润,但SK Hynix希望减少对他们的依赖,并寻找新的增长点。内存虽然现在赚钱,但等中国掌握技术之后,谁又能预测未来的市场?

另一条消息,三星刚刚宣布第五代V-NAND三维闪存进入量产阶段。新一代3D闪存将使用96层堆叠技术,但存储容量保持在单Die 256Gb不变。

在此之前3D闪存一直是以存储容量作为主要增长点,第五代V-NAND只保留了64层堆叠初期的存储密度,毕竟三星64层3D闪存进入SSD产品也还没多久。三星将远期目标设置在1Tb单Die容量,这将需要QLC形式闪存来实现。

尽管存储容量没有增长,但由于物理尺寸缩减,第五代V-NAND的存储密度实际上有所增加。除此之外,第五代V-NAND将使用全新Toggle 4.0闪存接口,闪存芯片与主控之间的接口带宽提升40%,达到1.4Gbps,闪存写入延迟相比上代技术也将下降30%左右。第五代V-NAND还将使用1.2V电压取代当前使用的1.8V电压,从而带来功耗方面的进步,移动电子设备将从中受益。

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最新评论

引用 akingmax 2018-7-11 06:57
看来国产与三星差距很大
引用 红色国度 2018-7-11 09:26
96层,屌。 啥时候128层
引用 七月流火 2018-7-11 19:53
国产不知道几年能追上
引用 Atom 2018-7-11 22:20
这技术中国赶紧掌握吧,
引用 红色狂想 2018-7-13 23:54
千层馅饼,没了镁光俩棒子就更可以随意涨价了。。。
引用 CityVen 2018-7-15 12:08
为啥堆叠层数提高了 容量还是这么大?

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